制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 50mA,5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 270 @ 10mA,2V | 频率 - 跃迁 | 115MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
产品概述:FZT1147ATA
FZT1147ATA 是由美台 Diodes Incorporated 生产的一种高性能 PNP 晶体管,其主要应用包括开关和放大电路。这款器件在电子行业中备受推崇,适用于各种充电器、功率放大器和其他需要高电流控制的场合。
选择 FZT1147ATA 的理由之一是其卓越的电气特性,特别是在高电流和高效率场合。其在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,Vce 的饱和压降最大为 400mV(在 50mA,5A 的条件下),这使得其在调整和控制电流时效率更高。
另外,该晶体管的集电极截止电流(Ic(max))最大可达到 100nA,在一定程度上显示了其优异的漏电特性,这对于高频应用或关断状态下的能量节省非常重要。它在 10mA 和 2V 的条件下,具有最小 DC 电流增益 (hFE) 达到 270,这使得它在放大器设计中非常有用。
在频率响应方面,FZT1147ATA 的跃迁频率高达 115MHz,适合快速开关应用。这种特性与其紧凑的 SOT-223 封装相结合,使得 FZT1147ATA 成为需要高速切换和更小尺寸要求的电子设备的理想选择。
FZT1147ATA 确切的命名和封装设计,预示着其广泛的应用潜力。常见应用包括但不限于:
在市场竞争激烈的环境中,FZT1147ATA 拥有多项独特优势。从材料到制造工艺的精细选择,使其在性能和可靠性方面显著高于同类产品。此外,Diodes Incorporated 致力于提供快速的客户服务及技术支持,确保用户能够及时解决设计过程中遇到的各种问题。
总之,FZT1147ATA 是一款性能卓越、应用广泛的 PNP 晶体管,结合其优异的电气特性、适应性强的工作环境以及可靠的封装设计,使其在各类电子产品中占据了重要的地位。无论是用于工业应用、消费类电子产品,还是其他高科技设备,FZT1147ATA 都能提供稳定的性能和可靠的运行能力,是工程师们的优秀选择。