注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STW48NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
6.501g
描述 :
场效应管(MOSFET) 330W 600V 44A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
26.33按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥26.33
--
10+
￥23.5
--
600+
￥22.6
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW48NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 44A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 70mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 330W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 44A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 124nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4285pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW48NM60N手册
STW48NM60N概述
STW48NM60N 产品概述
一、基本信息
STW48NM60N是一款基于金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）技术的N沟道器件，专为高电压和高功率应用而设计。它的漏源电压（Vdss）可达到600V，额定连续漏极电流（Id）为44A，能够承受较大的功率和电流，非常适合用于各种电源转换、逆变器、以及工业设备等场合。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 600V
- 这使得STW48NM60N能够用于高压应用，能够轻松处理电力电子中常见的高电压环境。
连续漏极电流（Id）: 44A (25°C时)
- 该元器件在25°C的环境温度下，可以稳定输出44A的连续电流，可满足在电机驱动或其他负载中较高的电流需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 该阈值电压意味着该MOSFET在低栅电压下也能够迅速导通，适合低功耗控制电路。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 70毫欧 @ 20A，10V
- 较低的导通电阻保证了MOSFET在工作时的热量产生较少，进一步提高了数据处理的效率和稳定性。
最大功率耗散: 330W (Ta=25°C)
- 其额定功率耗散能力为330W，适合高负载电路的设计，能够在瞬态情况下提供额外的电流。
工作温度: 150°C（TJ）
- 具有较高的工作温度上限，适合高温环境中的应用。
栅极电荷（Qg）: 124nC @ 10V
- 该参数表明了在开关过程中需要的栅电压驱动能力，低栅电荷有助于提高开关速度，降低开关损耗。
三、封装和安装
STW48NM60N采用TO-247封装类型，这种封装设计兼顾了散热性能及安装便利性，适于在高功率应用中使用，能有效散发产生的热量。同时其通孔安装设计能够容易与电路板连接，支持多种布局设计，方便各种应用的集成。
四、应用领域
由于其优异的电流承载能力和高电压耐受性，STW48NM60N在以下应用中特别受欢迎：
电源转换器: 用于提升/降压电源、电源管理和相关转换器的设计。
逆变器: 在太阳能发电和电动汽车的逆变器中，保证高效能转换和可靠性。
电动机驱动: 对于各类电机驱动控制系统，由于其高电压和电流承载能力，STW48NM60N是理想的选择。
工业设备: 在重负载工业设备及自动化设备中广泛应用，能够确保设备的稳定性和效率。
五、结论
STW48NM60N凭借其卓越的电气性能、较高的功率承载能力和优良的散热能力，成为现代电力电子设计中的理想选择。无论是用于通用的电源管理系统，还是用于更复杂的电动汽车和逆变器解决方案，STW48NM60N都能提供卓越的性能和高效的能量转换，为行业的不断进步和发展贡献力量。