存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | FLASH - NOR | 存储容量 | 512Mb (64M x 8) |
存储器接口 | SPI | 时钟频率 | 133MHz |
写周期时间 - 字,页 | 8ms,2.8ms | 电压 - 供电 | 1.7V ~ 2V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-WFDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | 8-WPDFN(8x6)(MLP8) |
MT25QU512ABB1EW9-0SIT 是一款由镁光(Micron)公司生产的高性能闪存存储器,采用了先进的FLASH-NOR技术,提供了丰富的功能和稳定的性能,特别适用于各种需要非易失性存储解决方案的应用场景。以下是该产品的详细概述。
MT25QU512ABB1EW9-0SIT 采用了最新的串行NOR Flash技术,支持SPI、Dual SPI与Quad SPI模式,能够显著提高数据传输速率和访问速度。它在广泛的工作温度范围内表现出色,非常适合于汽车电子、工业控制、消费电子和网络设备等应用。
先进的存储架构: 该器件基于NOR闪存架构,提供出色的随机读取性能,特别适用于需要快速数据访问的环境。
高容量与灵活性: 512Mbit的存储容量对于众多应用而言已足够,并且可以支持多种数据格式,包括512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit的灵活访问。
高效的功耗管理: 在1.7V至2V的宽供电电压范围内,该存储器能够有效降低功耗,适合于对能源效率要求高的应用。
增强的耐用性: 该器件工作温度范围为-40°C至85°C,确保在极端环境下的稳定性和可靠性,特别适合工业和汽车领域。
MT25QU512ABB1EW9-0SIT因其卓越的性能和可靠的操作,适用于多种应用场景,包括但不限于:
通过采用SPI接口和高达133MHz的时钟频率,MT25QU512ABB1EW9-0SIT 在数据的读取和写入速度方面表现出色。与传统的并行NOR Flash存储器相比,串行接口在连接上显得更加简洁和高效,同时也降低了PCB的空间需求,是现代电子设计的一大优点。
总的来说,MT25QU512ABB1EW9-0SIT 是一款结合了容量、速度、灵活性和耐用性的高性能闪存存储器。无论是在复杂的工业环境还是在快速发展的消费电子市场,它都能为设计师和工程师提供可靠、持久的存储解决方案。选择MT25QU512ABB1EW9-0SIT将为您的项目带来出色的性能和更广泛的应用潜力。