功率(Pd) | 12.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 115pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V,12A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 25.6nC |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.08nF | 连续漏极电流(Id) | 19.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
AP9T16AGH-HF 是一款高性能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),由 APEC(富鼎电子)生产,采用了 TO-252 封装。此次产品的设计目标是为各种电力电子应用提供高效的开关性能和卓越的热管理能力。该元件的关键参数包括额定功率 12.5W、最大耐压 20V 和额定电流 19.5A,使其适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理和开关应用。
高效能:AP9T16AGH-HF 的 12.5W 的功率输出能力,使其能够处理高功率的应用,尤其在要求高转换效率的场景中表现优秀。
极低的导通电阻:该MOSFET 的导通电阻(R_DS(on))较低,意味着在开启状态下,电流流过时的能量损失非常小,有助于提高系统的整体效率并降低热量生成。
宽广的电流范围:N 沟道设计允许高达 19.5A 的电流通过,这使得 AP9T16AGH-HF 特别适合用于高负载应用,如电源开关、马达驱动和电池管理系统。
耐压设计:最大耐压为 20V 的设计,提供了在高电压环境下的使用灵活性,可满足多种电源需求而不必担心出现击穿风险,为设计工程师提供了更大的设计空间。
散热性能:TO-252 封装不仅有助于小型化设计,同时其出色的热管理能力确保在高功率运行的情况下,器件能够保持稳定的性能,避免因过热导致的故障。
AP9T16AGH-HF 的广泛应用使其成为现代电力电子设计中不可或缺的元件之一。其适用于以下领域:
电源转换器:在开关电源、DC-DC 转换器中作为主要开关元件,提供高效率的电力转换。
马达驱动:在电动机驱动系统中作为开关元件,提高电动机的控制效率和响应速度。
LED 驱动电路:在LED照明系统中管理电流,以实现高效的光源控制和延长LED的使用寿命。
电池管理系统:在智能手机、电动汽车及储能设备中用于管理充放电过程,并提升整体能量的利用率。
采用AP9T16AGH-HF 作为系统设计的关键组件,具备以下优势:
可靠性:其优秀的电气特性和耐压能力确保了长时间的可靠运行,适应各种严苛的工作环境。
设计空间:小巧的TO-252封装使得设计师能够在空间有限的条件下仍然实现高效率的电流管理。
经济性:优良的开关性能意味着可以降低散热系统的需求,从而在成本上实现更大的优化。
在现代电子设计领域,AP9T16AGH-HF 作为一款高性能N沟道MOSFET,不仅提供了出色的电气与热管理性能,还为工程师的设计带来了极大的便利和灵活性。无论是在电力管理还是高负载应用中,其都展现出卓越的性能与可靠性,是实现高效电源设计的理想选择。