功率(Pd) | 31.3W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@4.5V,18A | 漏源电压(Vdss) | 20V |
类型 | 1个N沟道 | 连续漏极电流(Id) | 38A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
AP9T18GH-HF 是一款由 APEC(富鼎)生产的高性能 N 沟道场效应管(MOSFET),其封装类型为 TO-252-2(又名 DPAK)。这款 MOSFET 在电气特性和热管理方面表现出色,适用于各种电子电路设计、开关电源、直流电机驱动和其他功率控制应用。
AP9T18GH-HF 采用 TO-252-2 封装,这种封装形式提供了较大的散热面积,有助于降低器件的热阻,提升器件的热性能。良好的散热特性可以有效提高器件在高负载下的稳定性和可靠性。
AP9T18GH-HF 的设计使其非常适合以下几个重点应用领域:
开关电源: 在开关电源(SMPS)中,MOSFET 是关键的开关元件,AP9T18GH-HF 能够以高效率推动功率转换,降低能耗。
直流电机驱动: 其高电流能力和快速开关特性使得 AP9T18GH-HF 非常适用于直流电机驱动电路,推动电机高效运转。
功率放大器: 在高频和高功率的应用环境中,AP9T18GH-HF 可以作为功率放大器的核心元件,提供稳定的性能。
电池管理系统: 在电池保护及管理电路中,AP9T18GH-HF 的高电流处理能力和快速响应能力,可以有效保护电池,提升系统的安全性。
AP9T18GH-HF 具备以下优点:
AP9T18GH-HF 是一款结合高效能与可靠性的 N 沟道 MOSFET,非常适用于现代电子电路中的高功率应用。其广泛的应用范围、良好的散热管理和高电流处理能力,确保设计师可以在面临各种功率转换和控制需求时,轻松选择这一优质元器件。未来,AP9T18GH-HF 定将继续在电源管理、电动机驱动及其他关键领域中扮演重要角色,推动电子设备向更高效、更稳定的方向发展。