AP9T18GH-HF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AP9T18GH-HF

商品编码: BM69418626
品牌 : 
APEC(富鼎)
封装 : 
TO-252-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 31.3W 20V 38A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.683
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.683
--
200+
¥0.441
--
1500+
¥0.383
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AP9T18GH-HF参数

功率(Pd)31.3W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@4.5V,18A漏源电压(Vdss)20V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)38A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA

AP9T18GH-HF手册

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AP9T18GH-HF概述

AP9T18GH-HF 产品概述

一、基本描述

AP9T18GH-HF 是一款由 APEC(富鼎)生产的高性能 N 沟道场效应管(MOSFET),其封装类型为 TO-252-2(又名 DPAK)。这款 MOSFET 在电气特性和热管理方面表现出色,适用于各种电子电路设计、开关电源、直流电机驱动和其他功率控制应用。

二、电气特性

  • 额定功率: AP9T18GH-HF 最大可承受功率为 31.3W,符合现代高效能电源转换的需求。
  • 最大栅源电压(Vgs): 20V,能够为复杂电路提供足够的栅驱动电压,确保快速的开关切换。
  • 额定电流: 该MOSFET 的额定连续输出电流高达 38A,适合大功率应用,为设计师在选择合适的功率器件时提供了更多灵活性。

三、封装与散热

AP9T18GH-HF 采用 TO-252-2 封装,这种封装形式提供了较大的散热面积,有助于降低器件的热阻,提升器件的热性能。良好的散热特性可以有效提高器件在高负载下的稳定性和可靠性。

四、应用领域

AP9T18GH-HF 的设计使其非常适合以下几个重点应用领域:

  1. 开关电源: 在开关电源(SMPS)中,MOSFET 是关键的开关元件,AP9T18GH-HF 能够以高效率推动功率转换,降低能耗。

  2. 直流电机驱动: 其高电流能力和快速开关特性使得 AP9T18GH-HF 非常适用于直流电机驱动电路,推动电机高效运转。

  3. 功率放大器: 在高频和高功率的应用环境中,AP9T18GH-HF 可以作为功率放大器的核心元件,提供稳定的性能。

  4. 电池管理系统: 在电池保护及管理电路中,AP9T18GH-HF 的高电流处理能力和快速响应能力,可以有效保护电池,提升系统的安全性。

五、优势总结

AP9T18GH-HF 具备以下优点:

  • 高功率处理能力: 其最大输出功率达到 31.3W,适合多种高功率应用。
  • 良好的热性能: TO-252-2 封装带来优异的散热特性,提高了设备的工作稳定性。
  • 快速开关速度: 在高频应用下,MOSFET 的快速切换特性提升了整体系统的效率。
  • 高可靠性: 作为 N 沟道 MOSFET,AP9T18GH-HF 在多种严苛条件下仍能保持良好的运行,适应长时间的负载工作。

六、结论

AP9T18GH-HF 是一款结合高效能与可靠性的 N 沟道 MOSFET,非常适用于现代电子电路中的高功率应用。其广泛的应用范围、良好的散热管理和高电流处理能力,确保设计师可以在面临各种功率转换和控制需求时,轻松选择这一优质元器件。未来,AP9T18GH-HF 定将继续在电源管理、电动机驱动及其他关键领域中扮演重要角色,推动电子设备向更高效、更稳定的方向发展。