功率(Pd) | 1.25W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@10V,2.5A | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
AP6N090N 是 APEC(富鼎)公司推出的一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(场效应晶体管),其采用了流行的 SOT-23 封装,广泛应用于各种电子电路中。下面是对 AP6N090N 产品的详细概述,包括其技术规格、特点、应用场景等信息。
AP6N090N 的名称由多个部分组成,其中 "AP" 表示其为 APEC(富鼎)公司的产品系列,"6N" 表示其为 N 沟道型 MOSFET,"090" 通常与其额定电压或特性有关,"N" 则表示其为增强型的 N 型 MOSFET。该器件在设计上旨在满足现代电子产品对高效能、低功耗以及稳定性等方面的需求。
封装类型:SOT-23
最大漏极-源极电压 (V_DS):约 30V
最大连续漏极电流 (I_D):约 6A
开关特性:
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
AP6N090N 由于其优良的性能和特性,广泛应用于多种电子领域,包括但不限于:
电源管理:
电机驱动:
负载开关:
消费电子:
汽车电子:
AP6N090N 是一款性能卓越的 N 沟道增强型 MOSFET,由于其小巧的 SOT-23 封装、高效的电气特性和广泛的应用场景,成为现代电子设计中的首选器件之一。无论是在电源管理、驱动电路还是消费电子与汽车电子领域,它均展现出了出色的优势。针对不同的应用需求,AP6N090N 提供了高可靠性和低功耗的解决方案,是电子设计工程师的理想选择。