NCE40P13S 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

NCE40P13S

商品编码: BM69418599
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 13A 1个P沟道 SOP-8
库存 :
8499(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.46
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.46
--
100+
¥1.12
--
1000+
¥0.936
--
2000+
¥0.85
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE40P13S参数

功率(Pd)2.5W反向传输电容(Crss@Vds)220pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@20V
漏源电压(Vdss)40V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.8nF@20V连续漏极电流(Id)13A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

NCE40P13S手册

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无数据

NCE40P13S概述

产品概述:NCE40P13S P沟道MOSFET

NCE40P13S是一款由新洁能(NCE)制造的高性能P沟道场效应管(MOSFET),其工作电压最高可达40V,最大连续电流为13A,封装形式为SOP-8。这款器件因其高效的电能管理和开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、应用控制和各类电路设计中。

1. 产品特性

  1. 高电流处理能力:NCE40P13S最大连续电流为13A,适合在需要较高电流输出的应用场合,能够有效支持多种电流驱动设备的需求。

  2. 高电压耐受性:具有40V的最大漏极-源极电压,这使得该MOSFET可以在多种电源环境中可靠运行,适应不同的工作条件。

  3. 高开关效率:MOSFET的低开关损耗和快速开关特性使其能够在高频率下高效工作,极大降低了热管理的需求,提高了系统的整体效率。

  4. 低导通电阻:NCE40P13S的导通电阻较低,能有效减少在传输过程中的能量损失,从而提高了电源系统的效率和可靠性。

  5. 封装紧凑:采用SOP-8封装设计,使得该器件在电路板上的占用面积小,非常适合对空间有严格要求的应用。

2. 应用领域

NCE40P13S P沟道MOSFET的广泛应用使其成为电子设计中重要的元器件。主要应用领域包括但不限于:

  1. 开关电源:在各种开关电源设计中,NCE40P13S用于开关控制,以实现高效的能量转换,确保设备始终能够在最佳工作状态下运行。

  2. 电机驱动:这款MOSFET能够驱动直流电机、步进电机等,适用于需要快速开关和高电流的场合,如家电、工业设备等。

  3. 轻载应用:在各种轻载状态下,NCE40P13S的高效率和快速响应特性能够减少能量浪费,延长设备的使用寿命。

  4. LED驱动:因其高开关频率和高电流能力,NCE40P13S也常用于LED驱动电路中,以确保LED的稳定亮度和延长其使用时间。

  5. 电源管理:在电池管理系统和电源转换器中,NCE40P13S可用作功率开关,提供精确控制,优化能量使用。

3. 使用注意事项

在实际应用中,正确选择和使用NCE40P13S是确保电路稳定性的关键。以下是一些使用注意事项:

  1. 热管理:尽管NCE40P13S具有较低的导通电阻,但在高电流条件下,仍需要有效的热管理,防止因过热导致器件失效。

  2. 电压边界:在设计电路时,应当注意不要超过40V的最大耐压值,以保护MOSFET和整个电路的安全。

  3. 选择合适的驱动电压:确保控制信号能够有效驱动MOSFET的开启和关闭,以获得最佳的开关性能。

  4. 应用相应的保护电路:在一些复杂的应用中,增加过流、过压保护电路可进一步提高电路的安全性和可靠性。

4. 结论

NCE40P13S是一款高性能的P沟道MOSFET,凭借其优异的电流和电压特性,适用于多种电子应用领域。其高效的开关特性、低热损耗和紧凑的封装设计,使其成为电源管理和驱动电路的理想选择。在设计电路时,合理应用这一元件,将能有效提升系统的整体性能,满足高效、稳定的电能管理需求。选择NCE40P13S,意味着选择了高效率、高可靠性的电子解决方案。