BSS84 产品实物图片
BSS84 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS84

商品编码: BM69418577
品牌 : 
CJ(江苏长电/长晶)
封装 : 
SOT-23(SOT-23-3)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 360mW 50V 130mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
98(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.571
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.571
--
200+
¥0.19
--
1500+
¥0.119
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS84参数

功率(Pd)225mW反向传输电容(Crss@Vds)5pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10Ω@5V,0.13A
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)50V
类型1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)30pF
连续漏极电流(Id)130mA阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA

BSS84手册

empty-page
无数据

BSS84概述

BSS84 产品概述

基础信息

BSS84 是一种 P 型沟道 MOSFET(场效应管),其额定功耗为 360mW,额定漏源电压为 50V,额定漏电流为 130mA。该元器件在 SOT-23 封装(SOT-23-3)中提供了紧凑的尺寸和相对较高的电气性能,适合多种电子设备的应用。

产品特性

  1. 高效能:BSS84 MOSFET 的低导通电阻 (RDS(on)) 有助于在工作时减少能量损耗,确保电路的高效能。这种特性使得 BSS84 在需要低功耗和高效能的应用中非常受欢迎。

  2. 适中的电压和电流额定值:该元器件的最大漏源电压为 50V,能够满足一般低压应用的需求。同时,130mA 的额定漏电流适用于多种小功率负载,使其在广泛的应用场合中表现出色。

  3. P 型沟道特性:作为 P 型 MOSFET,BSS84 可以在基于负电压的控制下工作,适用于需要高侧开关的场合。这一点在电源管理和信号调节应用中特别重要。

  4. 小型封装:SOT-23 封装由于其小型、轻便的特点,广泛用于便携式设备和低功耗应用。其尺寸允许在电路板上节省空间,同时提供可靠的性能。

  5. 厂家可靠性:本产品由江苏长电(CJ)生产,其在半导体行业的良好声誉及稳定的产品质量,为用户提供了额外的信心。

应用场景

由于其出色的电气特性和小型化优势,BSS84 MOSFET 在多种应用场景中均有所涉及,包括但不限于:

  1. 开关电源:在 DC-DC 转换器中,BSS84 常用于作为开关元件。当开关电路工作时,该 MOSFET 能有效地切换电流流向,提供高效的电能转换。

  2. 电机驱动:在一些小型电机驱动电路中,BSS84 可用于负载控制,以实现对电机的开关控制和速度调节。

  3. 信号调理电路:在模拟信号处理和调理电路中,BSS84 可用作信号的开关,能够根据控制信号的变化快速响应。

  4. 负载控制:在智能照明、风扇速度控制等应用中,BSS84 可实现对负载的高效控制,帮助提高设备的整体能效。

  5. 便携式设备:其小巧的封装设计使得 BSS84 特别适合在笔记本电脑、移动电话及其他便携式电子产品中用于开关和信号处理。

结论

BSS84 P 型 MOSFET 是一款功能全面、小型化、低功耗且高效的电子元器件,适合于多种现代电子产品的应用。随着对能效和空间优化的需求不断增加,BSS84 的市场需求预计将持续上升。选择 BSS84,可以为您的设计提供优质的性能和可靠性,是值得考虑的优秀电子元器件。