功率(Pd) | 1.38W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@10V,1A |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 420pF@50V | 连续漏极电流(Id) | 1.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
AP10P500N 是一款高性能的 P 型场效应管 (MOSFET),其设计和功能非常适合于各种电子电路应用,特别是在低功耗和高效率的设备中。该产品由富鼎 (APEC) 生产,具备出色的电气特性和可靠的性能,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的要求。
AP10P500N 具备较高的额定电压(100V),使其能够在高压应用场合稳定工作。这种特性使得 AP10P500N 非常适合用于电源管理、马达驱动器和开关电源等领域。其 P 型特性使得在与 N 型 MOSFET 某一特定配置下,它们可以实现高效的信号和电力控制。
该 MOSFET 的导通电流为1.2A,适合大多数小型电流应用,可以支持多种不同的工作负载。其功率损耗为1.38W,低功耗的设计帮助提高了系统的整体效能,降低了热生成,减少了散热需求。这使得 AP10P500N 特别适用于便携式电子产品、消费电子产品以及其他规模小且对功耗敏感的应用。
AP10P500N 采用 SOT-23 封装,这是一种表面贴装 (SMD) 封装形式,便于自动化生产和组装。SOT-23 封装的紧凑设计使得其适合用于板级空间有限的设计,同时也提高了热管理能力,因为更小的器件可以更快地散热。其小型化的特点,能够帮助设计工程师在限制空间内实现更加复杂的电路布局。
AP10P500N 的应用场景广泛,通常被用于以下几类电路:
AP10P500N P 型 MOSFET 是一款高可靠性、高性能的电子元器件,适合用于多种电子电路应用。凭借其卓越的电气特性和紧凑的 SOT-23 封装,它不仅符合现代电子产品对小型、高效能的需要,更为设计工程师提供了极大的灵活性和广泛应用的可能性。在当今技术快速发展的背景下,AP10P500N 将为推动各种创新应用提供重要支持。