AOH3106 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOH3106

商品编码: BM69418506
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOT-223-4L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 100V 2A 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.97
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.97
--
100+
¥1.51
--
1250+
¥1.32
--
2500+
¥1.24
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOH3106参数

功率(Pd)3.1W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)360mΩ@2A,10V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V漏源电压(Vdss)100V
类型1个N沟道输入电容(Ciss@Vds)185pF@50V
连续漏极电流(Id)2A阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

AOH3106手册

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AOH3106概述

AOH3106 产品概述

一、产品基本信息

AOH3106是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),它的最大功耗为3.1瓦特,额定电压为100伏特,持续电流可达2安培。这款器件采用SOT-223-4L封装,适用于空间有限的应用场合。这一系列产品由知名品牌AOS生产,具有良好的品质和可靠性。AOH3106在各种电子应用中表现优异,是电源管理、电机驱动和信号开关等领域的理想选择。

二、器件特性

  1. 高功率密度与高电压:AOH3106能够在高达100V的电压下运行,并且其功率处理能力高达3.1W,使其能够适应多种高电压和高功率应用需求。

  2. 低导通电阻:该MOSFET的导通电阻非常低(通常在几毫欧姆的量级),这意味着在导通时电流通过的损失非常小,有助于提高整体电源效率,降低热量产生。

  3. 高开关速度:AOH3106的开关性能优越,能够快速切换,并在高频率应用中表现良好,从而适应不同的开关模式。

  4. 小型化封装:SOT-223-4L封装设计小巧,适合高密度电路板布局,能够有效节省空间并避免电路板拥挤的问题。

  5. 良好的热稳定性:该器件设计用于在恶劣的工作条件下运行,具备良好的热稳定性,使其能够在不同的温度范围内保持性能稳定。

三、应用场景

AOH3106的广泛应用场景包括:

  1. 电源管理:在开关电源和线性电源中,该MOSFET可用作高效率的开关元件,从而优化能源转换效率,实现更小的功耗。

  2. 电机驱动:在电机控制应用中,AOH3106可用作驱动开关,以实现对直流或步进电机的精准控制,确保电机的平稳运行。

  3. 信号开关:在信号开关电路中,该器件可切换不同的信号路径,以适应多种信号处理需求,具有较低的输入信号干扰。

  4. LED驱动电路:对于LED驱动电路,AOH3106可用于调节LED亮度,从而伴随PWM调光控制实现高效能源利用。

  5. 便携式设备:由于其低功耗特性,AOH3106适合在便携式设备中使用,例如移动电话、平板电脑等,它能有效延长电池的使用寿命。

四、总结

AOH3106是一款设计精良的N沟道MOSFET,凭借其高功率、高电压、低导通电阻以及快速开关性能,在多个电子应用上都展现出卓越的性能和可靠性。其紧凑的SOT-223-4L封装,使得AOH3106能够适应现代电子设备对小型化和高效能的严格要求。无论是在电源管理、电机驱动还是信号开关领域,AOH3106都能提供卓越的解决方案。对于电子设计师和工程师而言,选择AOH3106将是提升系统性能和效率的优质选择。