功率(Pd) | 3.1W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 360mΩ@2A,10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V | 漏源电压(Vdss) | 100V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 185pF@50V |
连续漏极电流(Id) | 2A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
AOH3106是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),它的最大功耗为3.1瓦特,额定电压为100伏特,持续电流可达2安培。这款器件采用SOT-223-4L封装,适用于空间有限的应用场合。这一系列产品由知名品牌AOS生产,具有良好的品质和可靠性。AOH3106在各种电子应用中表现优异,是电源管理、电机驱动和信号开关等领域的理想选择。
高功率密度与高电压:AOH3106能够在高达100V的电压下运行,并且其功率处理能力高达3.1W,使其能够适应多种高电压和高功率应用需求。
低导通电阻:该MOSFET的导通电阻非常低(通常在几毫欧姆的量级),这意味着在导通时电流通过的损失非常小,有助于提高整体电源效率,降低热量产生。
高开关速度:AOH3106的开关性能优越,能够快速切换,并在高频率应用中表现良好,从而适应不同的开关模式。
小型化封装:SOT-223-4L封装设计小巧,适合高密度电路板布局,能够有效节省空间并避免电路板拥挤的问题。
良好的热稳定性:该器件设计用于在恶劣的工作条件下运行,具备良好的热稳定性,使其能够在不同的温度范围内保持性能稳定。
AOH3106的广泛应用场景包括:
电源管理:在开关电源和线性电源中,该MOSFET可用作高效率的开关元件,从而优化能源转换效率,实现更小的功耗。
电机驱动:在电机控制应用中,AOH3106可用作驱动开关,以实现对直流或步进电机的精准控制,确保电机的平稳运行。
信号开关:在信号开关电路中,该器件可切换不同的信号路径,以适应多种信号处理需求,具有较低的输入信号干扰。
LED驱动电路:对于LED驱动电路,AOH3106可用于调节LED亮度,从而伴随PWM调光控制实现高效能源利用。
便携式设备:由于其低功耗特性,AOH3106适合在便携式设备中使用,例如移动电话、平板电脑等,它能有效延长电池的使用寿命。
AOH3106是一款设计精良的N沟道MOSFET,凭借其高功率、高电压、低导通电阻以及快速开关性能,在多个电子应用上都展现出卓越的性能和可靠性。其紧凑的SOT-223-4L封装,使得AOH3106能够适应现代电子设备对小型化和高效能的严格要求。无论是在电源管理、电机驱动还是信号开关领域,AOH3106都能提供卓越的解决方案。对于电子设计师和工程师而言,选择AOH3106将是提升系统性能和效率的优质选择。