功率(Pd) | 1.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 75pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@4.5V,3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 700pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
NCE3407AY是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),封装形式为SOT-23-3L,适用于各种电子电路中的开关和放大应用。这款MOSFET的额定功率为1.5W,工作电压可以达到30V,最大电流为4.3A,具有良好的电流承载能力和较低的导通电阻。这些特性使得NCE3407AY在电子设备中广泛应用,尤其是在低功耗、高效率的电源管理和信号处理电路中。
封装与尺寸: NCE3407AY采用SOT-23-3L封装,尺寸小巧,适合现代电子设备对空间的严格要求。其小型化设计使得这款元件能够在紧凑的电路板上轻松布置,保证整体设计的灵活性和高效性。
电气性能:
热性能: 该MOSFET具有良好的热管理特性,其封装设计可以有效散热,确保在高负载情况下的稳定运行。这一特性特别适合于高频率和高负载的应用场景。
开关特性: NCE3407AY表现出较快的开关速度,能够在短时间内响应控制信号。这使其在开关电源和调光电路等领域表现出色,能够实现高效率的切换,降低开关损耗。
NCE3407AY广泛应用于以下领域:
电源管理: 由于其高效的开关特性和适当的额定电流,NCE3407AY可用于开关电源(SMPS)、DC-DC变换器和电池管理系统中,能够有效降低功耗,提高系统效率。
电机控制: 在电机驱动和控制应用中,该MOSFET可用于实现电流控制与开关操作,确保电机在不同负载情况下的平稳运行。
信号调理: 在音频放大和信号处理电路中,NCE3407AY可以作为开关元件,用于音频信号的调理和处理,提高信号质量。
LED驱动: 在LED照明系统中,NCE3407AY可应用于LED驱动电路,通过高效的开关控制实现调光和亮度调节,保证LED的有效使用与长寿命。
NCE3407AY是一款设计精良、性能优越的P沟道MOSFET,凭借其高效的电气特性和良好的热性能,在多个应用领域中展现出广泛的适用性。其小巧的SOT-23-3L封装使得设计师在电路设计中更加灵活,能够满足现代电子设备对体积和性能的双重要求。无论是在电源管理、信号处理,还是电机控制和LED驱动中,NCE3407AY都能提供出色的解决方案。这使得其成为工程师们值得信赖的选择。