功率(Pd) | 225mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | NPN |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1V | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA,80mA | 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
集电极电流(Ic) | 1.5A |
LH8050QLT1G是一种高性能的NPN三极管(BJT),其功耗等级为225 mW,最大工作电压为50 V,最大集电极电流可达到1.5 A。该器件采用SOT-23封装,具有小巧紧凑的特点,非常适合在空间有限的电子设备中使用。LH8050QLT1G由乐山无线电(LRC)制造,凭借其优秀的电气特性和可靠的品质,广泛应用于各种电子电路中。
SOT-23封装是表面贴装技术(SMD)中最常见的封装类型之一,适用于生产自动化装配。其尺寸小,使其可以集成于小型化设备中。LH8050QLT1G的SOT-23-3封装设计,方便于在高密度电路板上进行布局,能够显著减少电路板的空间需求。这为设计者提供了更多的设计灵活性,特别是在开发便携式或尺寸受限的电子产品时。
LH8050QLT1G广泛用于多个领域,包括但不限于:
LH8050QLT1G NPN三极管是设计师在开发需要可靠性、高性能以及空间优化的电子产品时的理想选择。凭借其优良的电气性能、可靠的品质以及广泛的应用领域,LH8050QLT1G为现代电子设计提供了强大的支持。无论您是在开发家用电器、移动设备、通信设备还是其他各类电子产品,LH8050QLT1G都能够帮助实现高效稳定的电路设计。