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MT41K128M16JT-125:K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MT41K128M16JT-125:K

商品编码: BM69418235
品牌 : 
micron(镁光)
封装 : 
144-µBGA(18.5x11)
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
库存 :
76(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
10.23
按整 :
-(1-有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.23
--
100+
¥8.83
--
1000+
¥8.4
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

MT41K128M16JT-125:K参数

制造商Micron Technology Inc.包装托盘
零件状态有源存储器类型易失
存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR3L
存储容量2Gb(128M x 16)存储器接口并联
电压 - 供电1.283V ~ 1.45V工作温度0°C ~ 95°C(TC)
安装类型表面贴装型封装/外壳96-TFBGA
供应商器件封装96-FBGA(8x14)时钟频率800MHz
访问时间13.75ns基本产品编号MT41K128M16

MT41K128M16JT-125:K手册

MT41K128M16JT-125:K概述

产品概述:MT41K128M16JT-125:K

基本信息

MT41K128M16JT-125:K 是由知名制造商 Micron Technology Inc. 生产的一款高性能 DDR3L SDRAM 芯片。该产品包括 2 Gb(128M x 16)的存储容量,旨在为各种计算应用提供高效率的内存解决方案。该 DRAM 芯片的设计充分考虑了现代电子设备对快速、高带宽和低功耗存储解决方案的需求。

存储类型与结构

作为一种易失性存储器,MT41K128M16JT-125:K 采用串行动态随机存取存储器(SDRAM)技术,并使用 DDR3L(低电压版本的 DDR3)架构。这种设计使其能够在1.283V至1.45V的电压范围内稳定运行,特别适合需要低功耗和高性能的移动设备和嵌入式系统。

性能参数

该 DRAM 芯片具有 800MHz 的时钟频率,意味着它能够处理高达 6400 MT/s 的数据传输速度。此外,它的访问时间为 13.75ns,可以在极短的时间内访问数据,从而提高整体系统性能。DDR3L 标准的应用,尤其在低功耗模式下,也有助于延长电池供电设备的使用时间。

封装和安装

MT41K128M16JT-125:K 芯片采用 96-TFBGA(Thin Fine Ball Grid Array)封装形式,尺寸为 8x14 mm,便于在表面贴装类型的电路板上安装。该封装具有较小的占板面积,适合现代紧凑型电子设备的设计需求,广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑、消费电子和工业设备等领域。

工作环境

此芯片的工作温度范围为 0°C 至 95°C(TC),使其在多种环境条件下均能保持稳定性能。这种宽温度范围的设计,特别适合于那些在极端温度条件下仍需可靠运行的应用场景。

应用场景

MT41K128M16JT-125:K 的高性能特性使其适合多种应用场景,包括:

  1. 消费电子: 适用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备,具备良好的能效和性能平衡。
  2. 计算机系统: 可用于电脑主板和超便携式笔记本电脑,提升系统响应速度和多任务处理能力。
  3. 网络设备: 在路由器、交换机和其他网络硬件中提供必要的系统内存,保障数据交换的顺畅。
  4. 工业应用: 在监控系统和自动化设备中,提供必要的数据存储和快速读取能力。

总结

MT41K128M16JT-125:K DRAM 芯片是适应现代计算需求的出色组件,凭借其高效的性能、灵活的工作范围和紧凑的封装设计,为设计师和开发者提供了可靠的解决方案,无论是在消费电子还是工业应用中,均能够实现卓越的性能表现。由于其低功耗特性和高带宽需求,这款产品在当前和未来科技发展中都有广泛的影响及应用潜力。