制造商 | Micron Technology Inc. | 包装 | 托盘 |
零件状态 | 有源 | 存储器类型 | 易失 |
存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR3L |
存储容量 | 2Gb(128M x 16) | 存储器接口 | 并联 |
电压 - 供电 | 1.283V ~ 1.45V | 工作温度 | 0°C ~ 95°C(TC) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 96-TFBGA |
供应商器件封装 | 96-FBGA(8x14) | 时钟频率 | 800MHz |
访问时间 | 13.75ns | 基本产品编号 | MT41K128M16 |
MT41K128M16JT-125:K 是由知名制造商 Micron Technology Inc. 生产的一款高性能 DDR3L SDRAM 芯片。该产品包括 2 Gb(128M x 16)的存储容量,旨在为各种计算应用提供高效率的内存解决方案。该 DRAM 芯片的设计充分考虑了现代电子设备对快速、高带宽和低功耗存储解决方案的需求。
作为一种易失性存储器,MT41K128M16JT-125:K 采用串行动态随机存取存储器(SDRAM)技术,并使用 DDR3L(低电压版本的 DDR3)架构。这种设计使其能够在1.283V至1.45V的电压范围内稳定运行,特别适合需要低功耗和高性能的移动设备和嵌入式系统。
该 DRAM 芯片具有 800MHz 的时钟频率,意味着它能够处理高达 6400 MT/s 的数据传输速度。此外,它的访问时间为 13.75ns,可以在极短的时间内访问数据,从而提高整体系统性能。DDR3L 标准的应用,尤其在低功耗模式下,也有助于延长电池供电设备的使用时间。
MT41K128M16JT-125:K 芯片采用 96-TFBGA(Thin Fine Ball Grid Array)封装形式,尺寸为 8x14 mm,便于在表面贴装类型的电路板上安装。该封装具有较小的占板面积,适合现代紧凑型电子设备的设计需求,广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑、消费电子和工业设备等领域。
此芯片的工作温度范围为 0°C 至 95°C(TC),使其在多种环境条件下均能保持稳定性能。这种宽温度范围的设计,特别适合于那些在极端温度条件下仍需可靠运行的应用场景。
MT41K128M16JT-125:K 的高性能特性使其适合多种应用场景,包括:
MT41K128M16JT-125:K DRAM 芯片是适应现代计算需求的出色组件,凭借其高效的性能、灵活的工作范围和紧凑的封装设计,为设计师和开发者提供了可靠的解决方案,无论是在消费电子还是工业应用中,均能够实现卓越的性能表现。由于其低功耗特性和高带宽需求,这款产品在当前和未来科技发展中都有广泛的影响及应用潜力。