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MT41K128M16JT-125 IT:K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MT41K128M16JT-125 IT:K

商品编码: BM69418234
品牌 : 
micron(镁光)
封装 : 
96-FBGA(8x14)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
库存 :
50(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
9.99
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.99
--
100+
¥8.61
--
1000+
¥8.2
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

MT41K128M16JT-125 IT:K参数

存储器类型易失存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L存储容量2Gb (128M x 16)
存储器接口并联时钟频率800MHz
访问时间13.75ns电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
工作温度-40°C ~ 95°C(TC)安装类型表面贴装型
封装/外壳96-TFBGA供应商器件封装96-FBGA(8x14)

MT41K128M16JT-125 IT:K手册

MT41K128M16JT-125 IT:K概述

产品概述: MT41K128M16JT-125 IT:K

基本信息

MT41K128M16JT-125 IT:K是镁光(Micron)公司生产的一款DDR3L SDRAM内存芯片,专为高性能的便携式和嵌入式应用而设计。其存储能力达到2Gb(128M x 16位),能够满足现代电子设备对高带宽存储器的需求。这款DRAM芯片采用96-Pin FBGA封装,便于表面贴装,适合在空间有限的设计中使用。

存储器类型与规格

作为一种易失性存储器,MT41K128M16JT-125 IT:K依赖于电源供应以保持存储的数据,因此特别适用于对数据持续性要求不高的应用,如临时数据存储和高速缓存。其采用DDR3L(低电压DDR3)技术,提供了高数据传输速率和低功耗运行的优点。

性能参数

该DRAM芯片的时钟频率为800MHz,并具备访问时间为13.75ns。这使得它能够迅速响应读写请求,显著提升了整体系统的性能。其电源供电电压范围为1.283V至1.45V,适应不同的电源管理需求,同时降低了设备的能耗,延长了电池寿命。

工作温度范围

MT41K128M16JT-125 IT:K在-40°C至95°C的广泛工作温度范围内均能稳定工作,适应严酷的环境条件。这一特性使其特别适合在工业控制、汽车电子和消费电子领域等需要在极端条件下运行的应用。

封装和安装

该产品采用96-FBGA(8x14mm)封装,具有小型化和高集成度的特点,符合现代电子产品对空间、性能和成本的要求。表面贴装类型的设计使其能够方便地集成到各种电路板上,支持自动化生产,提高了装配的效率。

应用场景

MT41K128M16JT-125 IT:K广泛应用于各种电子设备,包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络设备以及工业控制系统等。随着物联网和智能设备的快速发展,这款DRAM芯片可以为数据处理和存储提供有效的解决方案。

总结

综上所述,MT41K128M16JT-125 IT:K是镁光推出的一款高性能、低功耗的DDR3L SDRAM内存芯片,凭借2Gb的容量、800MHz的时钟频率及出色的环境适应能力,满足各种电子产品的需求。其适用于广泛的应用场景,必将为各种电子设计提供所需的可靠存储解决方案。