逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,3V | 输入类型 | 非反相 |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 250mA,500mA | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 电压 - 供电 | 12V ~ 20V |
驱动配置 | 高压侧或低压侧 | 上升/下降时间(典型值) | 80ns,40ns |
通道类型 | 单路 | 驱动器数 | 1 |
IR2127STRPBF 是一款高性能的栅极驱动器 IC,专为IGBT和N沟道MOSFET的驱动而设计。它在高压侧或低压侧应用中表现出色,适用于广泛的电力电子和驱动系统,包括电动机控制、高效率开关电源及逆变器等领域。该驱动器具备卓越的输出能力和可靠性,尤其适合需要在极端工作条件下稳定运行的应用。
IR2127STRPBF 采用 SOIC-8 封装,具有较小的占用空间,便于在紧凑型电路板上安装。它的表面贴装型设计简化了安装工艺,提高了生产效率。
此驱动器可以配置为高压侧或低压侧驱动,适应多种应用场景。其非反相逻辑设计确保了稳定的输出控制,避免了因相位错误导致的潜在风险。
IR2127STRPBF 适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
IR2127STRPBF 是一款经过严格设计和测试的高压侧或低压侧栅极驱动器,专为大功率开关应用而生。凭借其强大的输出特性、广泛的工作电压范围以及优异的环境适应性,使得其在多个领域内都有着广泛的应用前景,为现代电力电子设备的高效运行提供了可靠保障。无论是在工业控制、可再生能源还是电动汽车驱动,IR2127STRPBF 都能成为设计工程师的理想选择。