驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.5V ~ 18V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1V,2.3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 5A,5A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 7ns,6ns | 工作温度 | -40°C ~ 140°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
UCC27524DR 产品概述
UCC27524DR是德州仪器(TI)推出的一款高性能栅极驱动器,设计用于推动IGBT和N沟道MOSFET器件,其广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他高效能电力电子系统。它的输入兼容性和高峰值输出电流使其成为现代电子应用中不可或缺的元件之一。
UCC27524DR在上升时延和下降时延的表现也非常优越,典型值上升时间为7ns,下降时间为6ns,这确保了在高频应用中依旧能够维持高效能和低能耗。其低延迟特性对于提高开关频率并降低整体开关损耗至关重要。
该器件的工作温度范围在-40°C到140°C之间,覆盖了广泛的应用环境,使其特别适合于严苛条件下的工作,比如汽车电子和工业自动化等领域。此外,UCC27524DR采用表面贴装型封装(SOIC-8),不仅减少了生产过程中的空间需求,同时也提升了装配的便捷性。
UCC27524DR可广泛应用于各类高性能电力电子设备中,具体应用包括但不限于:
总之,UCC27524DR是一款功能强大且灵活的栅极驱动器,适合各种需要快速开关及高效能驱动的电子系统。其高峰值输出电流、宽供电电压范围、低驱动延迟及广泛的工作温度范围,使其成为电力电子设计师和工程师的理想选择。通过采用此驱动器,用户能够有效提升整体电路的性能与效率,满足现代高集成电路的设计需求。