FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 950V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 500 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 40nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 900pF @ 100V |
功率耗散(最大值) | 170W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
STP15N95K5 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能 N 通道 MOSFET。这款场效应管专为处理高电压和高电流应用而设计,具有950V的漏源电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id),在相对较高的功率耗散能力(最大170W)下,能够提供出色的可靠性和稳定性。该元器件在各种电子设备中的应用范围广泛,包括开关电源、电机驱动、逆变器和其他高压和高功率项目。
STP15N95K5 采用现代 MOSFET 技术,具有显著的导通性能和较低的导通电阻。这使其在高电流应用中能够提供更低的电能损耗和更高的工作效率。此外,该器件的高开关速度和较低的栅极电荷,使其适用于高速开关应用,从而提高了系统的整体性能。
STP15N95K5 采用 TO-220 封装,这种封装形式不仅易于散热,还便于在各种电路板上安装。TO-220 封装的物理特性使得该元件能够在高功率应用中高效运行,确保良好的热管理。
STP15N95K5 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其高耐压、高电流和低导通电阻等特点,广泛应用于各种高性能电子设备。无论是在开关电源、电机驱动还是逆变器中,该元器件均能提供卓越的性能和可靠性。选择 STP15N95K5 将为电子设计提供更可靠的解决方案,满足现代电子设备对高效率、高可靠性和高性能的需求。