STP15N95K5 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STP15N95K5

商品编码: BM69418126
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.8g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 170W 950V 12A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
13.82
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥13.82
--
100+
¥12.34
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP15N95K5参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)950V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)500 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)40nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)900pF @ 100V
功率耗散(最大值)170W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220
封装/外壳TO-220-3

STP15N95K5手册

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STP15N95K5概述

STP15N95K5 产品概述

1. 产品简介

STP15N95K5 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能 N 通道 MOSFET。这款场效应管专为处理高电压和高电流应用而设计,具有950V的漏源电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id),在相对较高的功率耗散能力(最大170W)下,能够提供出色的可靠性和稳定性。该元器件在各种电子设备中的应用范围广泛,包括开关电源、电机驱动、逆变器和其他高压和高功率项目。

2. 主要规格

  • FET 类型:N 通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss):950V
  • 连续漏极电流(Id):12A(在环境温度 25°C 时,通道温度 Tc)
  • 门极驱动电压:10V(最大 Rds On 和最小 Rds On)
  • 导通电阻(Rds(on)):最高500毫欧 @ 6A 和 10V
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最高5V @ 100µA
  • 栅极电荷(Qg):最高40nC @ 10V
  • 栅源电压(Vgs):最大±30V
  • 输入电容(Ciss):最高900pF @ 100V
  • 功率耗散(Pd):最大170W(在 Tc 条件下)
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 封装类型:TO-220,适合通孔安装

3. 特性与优势

STP15N95K5 采用现代 MOSFET 技术,具有显著的导通性能和较低的导通电阻。这使其在高电流应用中能够提供更低的电能损耗和更高的工作效率。此外,该器件的高开关速度和较低的栅极电荷,使其适用于高速开关应用,从而提高了系统的整体性能。

4. 适用应用

  • 开关电源:凭借其高电压和高电流处理能力,STP15N95K5 适合各类开关电源设计,包括适配器、充电器和工业电源。
  • 电机驱动:在电动机控制中,STP15N95K5 提供了高效的开关性能,可以有效地驱动直流电机和步进电机。
  • 逆变器:在可再生能源系统(如太阳能逆变器)和电动汽车(EV)的电力转换中,STP15N95K5 的高耐压和高效率是其重要的技术优势。
  • 高压应用:由于其950V的高耐压特性,该器件能够在需要严格电压管理的应用场景中使用,比如高压电源或电力转换设备。

5. 封装与安装

STP15N95K5 采用 TO-220 封装,这种封装形式不仅易于散热,还便于在各种电路板上安装。TO-220 封装的物理特性使得该元件能够在高功率应用中高效运行,确保良好的热管理。

6. 总结

STP15N95K5 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其高耐压、高电流和低导通电阻等特点,广泛应用于各种高性能电子设备。无论是在开关电源、电机驱动还是逆变器中,该元器件均能提供卓越的性能和可靠性。选择 STP15N95K5 将为电子设计提供更可靠的解决方案,满足现代电子设备对高效率、高可靠性和高性能的需求。