SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3 产品概述

产品简介

SIHD6N80E-GE3 是由威世（VISHAY）公司生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具备卓越的电气性能和广泛的应用范围。该器件设计用于高压、高频率的电源管理和开关应用，特别适用于高功率设备和工业控制领域。

主要特性

• FET 类型: N 通道 MOSFET
• 漏源电压 (Vdss): 800V，适应高电压应用环境
• 持续漏极电流 (Id): 5.4A (在 25°C 时)
• 导通电阻 (Rds(on)): 最大 940 毫欧在 3A 和 10V 时，确保低功耗损耗和高效率
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA，提供灵活的驱动设计
• 栅极电荷 (Qg): 最大 44nC在 10V，确保快速开关特性
• 最大 Vgs: ±30V，适应多种控制电压信号
• 输入电容 (Ciss): 最大 827pF @ 100V，优化信号响应速度
• 功率耗散: 最大 78W (Tc)，支持高功率密度设计
• 工作温度范围: -55°C 到 +150°C，适合极端环境的应用

封装及安装类型

SIHD6N80E-GE3 采用 D-PAK (TO-252AA) 表面贴装封装，具有优良的散热性能和小尺寸特性，便于自动贴片和组装。该封装形式使得产品在空间受限的应用中更具竞争力，同时提供了良好的电气接触和可靠性。

应用领域

由于其高电压、高电流和优秀的开关效率，SIHD6N80E-GE3 在多个领域有着广泛的应用，包括但不限于：

• 开关电源: 该 MOSFET 可以用作开关电源中的主要开关器件，提供高效率和稳定的电力输出。
• 电机驱动: 在工业电机驱动和控制中，SIHD6N80E-GE3 提供必要的性能以支持大功率电机的驱动需求。
• 逆变器: 适用于太阳能逆变器及其他类型的电能转换器，保证高效能量转换和系统稳定性。
• 电视与音响设备: 在娱乐设备的电源管理中，保障高性能放电和信号完整性。

性能优势

SIHD6N80E-GE3 采用先进的 MOSFET 技术，确保其具有以下性能优势：

1. 高效性: 低 Rds(on) 值和低栅极电荷极大降低开关损耗，提升整体电源效率。
2. 耐高压性: 800V 的漏源电压值允许其在各类高应用电压环境中稳定工作。
3. 稳定性: 宽广的工作温度范围确保器件在极端环境下也能保持稳定和可靠的性能。
4. 易于集成: D-PAK 封装适合现代电子产品的高集成度需求，便于在设计中集成于多种电路布局。

总结

SIHD6N80E-GE3 是一款功能强大且高效的高压 N 通道 MOSFET，适合用于多种高功率和高频率的应用场景。凭借其优秀的电气特性和广泛的适用性，SIHD6N80E-GE3 在现代电子设备设计中是一个理想选择，无论是在电源管理、工业控制还是其他高要求领域，都能够提供稳定且高效的性能支持。