制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 320 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA | Vgs(最大值) | ±8V |
功率耗散(最大值) | 350mW(Ta),5.43W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1006B-3 |
封装/外壳 | 3-XFDFN | 漏源电压(Vdss) | 20V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.4nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 46pF @ 10V |
PMZB290UNE2YL 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能MOSFET(场效应管),其封装形式为DFN1006B-3,并采用卷带(TR)包装,实现高效的表面贴装。此器件设计为N沟道 MOSFET,适用于要求高效电源管理和信号切换的各种应用场景。
电流与电压:
导通电阻:
栅极驱动与输入特性:
功率耗散:
温度特性:
PMZB290UNE2YL 适用于需要高效率和高度可靠性的电子设备中,包括但不限于:
由于其出色的电气性能和宽广的工作温度范围,PMZB290UNE2YL 特别适合于便携式设备、汽车电子、LED驱动、电池管理系统等多种应用。《
该器件采用表面贴装技术(SMT),便于自动化生产,并能够与其他标准组件兼容。其DFN1006B-3封装带来的小尺寸特性使得设备在设计时能够节省空间,满足更为紧凑的系统设计。
主管理及设计团队可以通过合理的PCB设计来进一步优化该MOSFET的表现,以提升整体电路的效率和稳定性。由于其低栅极电荷特性,设计师可以在高频应用中使用 PMZB290UNE2YL 以实现快速开关。
PMZB290UNE2YL MOSFET以其优越的电气性能、极宽的工作温度范围和良好的集成封装形式,成为低功耗和高效率电源管理方案的理想选择。无论是在工业、消费电子还是汽车领域,PMZB290UNE2YL 均能提供可靠的性能,帮助设计师应对各种复杂的电气挑战。