NVMFS6H801NT1G
NVMFS6H801NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），157A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 50A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），166W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 64nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4120pF @ 40V | 基本产品编号 | NVMFS6 |
NVMFS6H801NT1G手册
NVMFS6H801NT1G概述
NVMFS6H801NT1G 产品概述
一、产品基本信息
NVMFS6H801NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）制造的高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），属于其汽车级产品系列：AEC-Q101，旨在满足高可靠性和耐久性需求，适合各种汽车电子应用。该器件具有优秀的电流承载能力和极低的导通电阻，广泛应用于电机驱动、电源管理和开关应用等场景。
二、关键规格
- 型号: NVMFS6H801NT1G
- 制造商: ON Semiconductor
- 系列: Automotive, AEC-Q101
- 包装: 卷带（TR）
- 零件状态: 有源（Active）
- FET 类型: N 通道
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C
- 封装类型: 5-DFN（5x6），8-PowerTDFN，5 引线
- 最大漏源电压: 80V
- 连续漏极电流 Id:
- Ta = 25°C 时：23A
- Tc 时：157A
- 导通电阻（Rds(on)）:
- 最大：2.8mΩ（50A，10V时）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）:
- 最大：4V（250µA）
- 驱动电压: ±20V
- 功率耗散:
- Ta 最大：3.8W
- Tc 最大：166W
- 栅极电荷（Qg）: 最大：64nC（10V时）
- 输入电容（Ciss）: 最大：4120pF（40V时）
三、性能特点
NVMFS6H801NT1G 作为一款汽车级 N 通道 MOSFET，具备出色的热性能、高电流承载能力以及低导通电阻，适合严苛的工作条件。以下是几个主要的性能特点：
高温工作能力: 可以在-55°C 到 175°C 的广泛温度下稳定运行，保证在极端天气条件下的可靠性与稳定性。
低导通电阻: 低导通电阻（Rds(on)）使其在高电流应用中具备更小的功率损耗和发热，提升了系统的整体效率。
大电流承载能力: 23A（在25°C环境温度下）和157A（在规定的冷却条件下）使它能够支持功率需求较大的负载，这对汽车动力系统等高需求场景尤为重要。
栅极驱动电压灵活: Vgs 最大值为±20V，加之适中的栅极阈值电压，提供了更好的驱动灵活性，降低了复杂电路所需的元件数量。
低栅极电荷与输入电容: 低栅极电荷与输入电容确保了更快的开关速度，减少了开关损耗，适用于高频率开关操作的应用场景。
四、应用领域
NVMFS6H801NT1G 的高性能规格与可靠性，使其适合多种汽车及工业应用，包括但不限于：
汽车电源管理: 能够用于电流控制与切换，优化电能的利用效率。
电动机控制: 在电动机控制器中应用，提供高效的电流传导，减少能量损耗。
开关电源: 可在开关电源设计中应用，有效进行电流的快速开关和控制。
电池管理系统: 在电池充电及放电过程中实现高效电流切换，提升系统的性能与安全性。
总结
NVMFS6H801NT1G 是一款兼具高性能、低功耗和高可靠性的 N 通道 MOSFET，广泛适用于汽车及工业电子应用，其卓越的规格和设计使其成为市场上极具竞争力的产品之一。与此同时，符合汽车行业的AEC-Q101标准，更加确保了在苛刻使用环境下的稳定性和安全性。