LM293DR2G
LM293DR2G参数
| 类型 | 通用 | 元件数 | 2 |
| 输出类型 | CMOS，DTL，ECL，MOS，开路集电极，TTL | 电压 - 供电，单/双 (±) | 2V ~ 36V，±1V ~ 18V |
| 电压 - 输入补偿（最大值） | 5mV @ 30V | 电流 - 输入偏置（最大值） | 0.25µA @ 5V |
| 电流 - 输出（典型值） | 16mA @ 5V | 电流 - 静态（最大值） | 2.5mA |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
LM293DR2G手册
LM293DR2G概述
LM293DR2G 产品概述
LM293DR2G 是由安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能比较器，适用于各种工程与工业领域。该器件具有两个内部比较器，适合于多种应用，包括信号处理、模拟信号比较以及作为电压监控电路组件。LM293DR2G 提供了灵活性和高精度，满足现代电子设计的需求。
主要特性
输出类型: LM293DR2G 的输出可以配置为开集电极（open-drain）模式，允许用户根据需要连接上拉电阻。这种灵活性与CMOS、DTL、ECL、MOS、TTL等多种输出类型兼容，使其在多种电路中得到广泛应用。
电源电压范围: 该器件的供电电压范围为2V ~ 36V（单极性），和±1V ~ 18V（双极性），使其能够在广泛的应用场合下工作，兼容大多数电源设计。
输入性能: 在输入电压补偿方面，LM293DR2G 具有极低的缺省最大值，为5mV @ 30V，这确保了其在高电压环境下仍能够保持良好的性能。此外，输入偏置电流最大值为0.25µA @ 5V，这一特性对电池供电的应用尤为重要，能够最大限度地降低功耗。
输出电流: 在典型的工作条件下，LM293DR2G 能够提供高达16mA的输出电流 @ 5V，适合直接驱动小负载或与其他逻辑电路相连。
静态电流: 该器件的最大静态电流为2.5mA，确保了其在待机模式下的低功耗特性，符合节能设计的要求。
工作温度范围: LM293DR2G 的工作温度范围为-25°C ~ 85°C，使其能够在严酷的环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子及其他需要耐高温的场合。同时，这也使得该器件具备良好的适应性。
封装和安装: LM293DR2G 采用8-SOIC表面贴装型封装，外形尺寸为0.154"（3.90mm 宽），适合于高密度的PCB设计。表面贴装的设计使其在制造过程中更简便，适应现代SMT（表面贴装技术）工艺。
应用领域
LM293DR2G 非常适合用于以下几种应用场景：
信号比较: 作为模拟信号的比较器，LM293DR2G 能够有效比较输入电压，并且在输出端生成阈值信号。此功能在模数转换器（ADC）输入信号处理及滤波器设计中尤为重要。
电机控制: 该器件可以用于电机反馈信号的比较，从而实现精确的电机控制与监测，确保系统的高效运行。
电压监测和保护: 通过设置适当的阈值电压，LM293DR2G 能够执行过电压和欠电压监测，确保电路的安全性。
温度监测: 结合热敏电阻等传感器，LM293DR2G 可用于温度测量和控制，广泛应用于HVAC（暖通空调）、汽车等领域。
电源管理: 在电源管理系统中，该器件能够监测电压并提供实时反馈，从而保障系统稳定。
结论
LM293DR2G 以其优秀的电气性能、灵活的封装和多样的应用前景，成为现代电子设计中不可或缺的比较器元件。它结合了低功耗、高效率和稳定性，十分适合于对性能和功耗有严格要求的应用场合。选择 LM293DR2G，不仅是对产品质量的保障，更是对工程设计成功的信心。在未来的电子设计中，它必将凭借其独特的优势，继续为工程师和开发者提供支持。