STT818B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STT818B

商品编码: BM69418047
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
SOT-23-6L
包装 : 
编带
重量 : 
0.039g
描述 : 
三极管(BJT) 1.2W 30V 3A PNP SOT-23-6L
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.96
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.96
--
100+
¥2.36
--
750+
¥2.11
--
1500+
¥1.99
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

STT818B参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 20mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,1V
功率 - 最大值1.2W工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6L

STT818B手册

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STT818B概述

STT818B 产品概述

STT818B 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管 (BJT),由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产,专为提供稳定的放大和开关功能而设计。该器件的目标应用包括功率放大器、开关控制电路、负载驱动和其他需要可靠电流控制的场合。

基础参数

  1. 晶体管类型: STT818B 采用 PNP 类型构造,能有效地在负载和控制电源之间提供电流放大和开关功能。

  2. 电流 - 集电极 (Ic): 本器件最高集电极电流为 3A,符合中等功率应用的需求,能够驱动较高的负载。

  3. 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大击穿电压为 30V,这意味着在高压环境下仍能保持稳定的工作状态,适用于多种电源电压条件的电路。

  4. 饱和压降 Vce: 在 20mA 和 2A 电流下,最大饱和压降为 500mV,这对于降低功耗并提高开关效率非常重要。

  5. 截止电流 (ICBO): 集电极截止电流在最大值时为 100nA,此参数显示该器件在关闭状态下的漏电流极其微小,降低了静态功耗。

  6. 电流增益 (hFE): 在 500mA 和 1V 的条件下,DC 电流增益的最小值为 100,这意味着在较大负载条件下,依然可以保持良好的放大性能。

  7. 功率 - 最大值: STT818B 的最大功率额定为 1.2W,适合用于需要一定功率处理能力的应用。

  8. 工作温度: 器件的工作温度范围可达到 150°C (TJ),提供了优良的热稳定性,适用于高温环境及长时间连续运行的场合。

  9. 安装类型: 采用表面贴装型设计,使得在现代电子产品的紧凑空间中易于安装并节省电路板空间。

  10. 封装/外壳: STT818B 使用 SOT-23-6L 封装,具备六脚设计,进一步增强了连接可靠性并方便在多种电路布局中使用。

应用场景

STT818B 的设计使其适用于一系列电子设备和应用中,包括但不限于:

  • 开关电源: 利用该晶体管的高集电极电流和低饱和压降进行高效的电源管理。
  • 负载驱动: 在电机控制、灯具驱动等场合,能有效控制高负载的切换。
  • 放大器电路: 在音频、视频和数据传输设备中作为信号的放大器使用。
  • 高温环境下的应用: 由于其优良的热稳定性,适合用于汽车电子、工业控制设备等高温场合。

总结

STT818B PNP 型晶体管的综合性能,使其在日常电子应用及工业级设备中都展现出极佳的适用性。它的高电流、高电压承受能力和低功耗特性,使得设计人员在进行电路设计时能够拥有更大灵活性和更高效率。此外,其紧凑的封装和高温工作的能力,进一步扩宽了其应用范围。因此,对于需要高性能开关和放大功能的电子产品,STT818B 是一款值得投资的选择。