晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 20mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,1V |
功率 - 最大值 | 1.2W | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 |
供应商器件封装 | SOT-23-6L |
STT818B 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管 (BJT),由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产,专为提供稳定的放大和开关功能而设计。该器件的目标应用包括功率放大器、开关控制电路、负载驱动和其他需要可靠电流控制的场合。
晶体管类型: STT818B 采用 PNP 类型构造,能有效地在负载和控制电源之间提供电流放大和开关功能。
电流 - 集电极 (Ic): 本器件最高集电极电流为 3A,符合中等功率应用的需求,能够驱动较高的负载。
电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大击穿电压为 30V,这意味着在高压环境下仍能保持稳定的工作状态,适用于多种电源电压条件的电路。
饱和压降 Vce: 在 20mA 和 2A 电流下,最大饱和压降为 500mV,这对于降低功耗并提高开关效率非常重要。
截止电流 (ICBO): 集电极截止电流在最大值时为 100nA,此参数显示该器件在关闭状态下的漏电流极其微小,降低了静态功耗。
电流增益 (hFE): 在 500mA 和 1V 的条件下,DC 电流增益的最小值为 100,这意味着在较大负载条件下,依然可以保持良好的放大性能。
功率 - 最大值: STT818B 的最大功率额定为 1.2W,适合用于需要一定功率处理能力的应用。
工作温度: 器件的工作温度范围可达到 150°C (TJ),提供了优良的热稳定性,适用于高温环境及长时间连续运行的场合。
安装类型: 采用表面贴装型设计,使得在现代电子产品的紧凑空间中易于安装并节省电路板空间。
封装/外壳: STT818B 使用 SOT-23-6L 封装,具备六脚设计,进一步增强了连接可靠性并方便在多种电路布局中使用。
STT818B 的设计使其适用于一系列电子设备和应用中,包括但不限于:
STT818B PNP 型晶体管的综合性能,使其在日常电子应用及工业级设备中都展现出极佳的适用性。它的高电流、高电压承受能力和低功耗特性,使得设计人员在进行电路设计时能够拥有更大灵活性和更高效率。此外,其紧凑的封装和高温工作的能力,进一步扩宽了其应用范围。因此,对于需要高性能开关和放大功能的电子产品,STT818B 是一款值得投资的选择。