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STF16N50M2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.46g
描述 :
场效应管(MOSFET) 25W 500V 13A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.87按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.87
--
100+
￥5.49
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF16N50M2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 280 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 710pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF16N50M2手册
无数据
STF16N50M2概述
STF16N50M2 产品概述
产品简介
STF16N50M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。它具备优异的电气性能，适用于高压和大电流的开关电源、逆变器及其他电源管理和转换应用。凭借其高达 500V 的漏源电压和 13A 的连续漏极电流，STF16N50M2 可以在广泛的电源和控制电路中提供可靠的性能表现。
关键参数
电气特性：
- 漏源电压 (Vdss): 500V
- 连续漏极电流 (Id): 13A（在 Tc = 25°C 时）
- 最大功率耗散: 25W（在 Tc = 25°C 时）
- 导通电阻 (Rds On): 最大 280 毫欧 @ 6.5A，10V
栅极驱动特性：
- 驱动电压: 10V（最大 Rds On）
- Vgs（最大值）: ±25V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大 19.5nC @ 10V
输入电容：
- 输入电容 (Ciss): 最大 710pF @ 100V
环境条件：
- 工作温度: -55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-220-3（通孔）
应用领域
STF16N50M2 的设计使其成为多个应用的理想选择，尤其是在以下几个领域：
- 开关电源：在高效能的开关电源中，此 MOSFET 可以作为开关元件，有效地控制电流和电压，以实现高效率的能量转换。
- 逆变器：适合用于太阳能逆变器和变频器等电力转换设备，保证在各种负载条件下的稳定工作。
- 电机驱动：在直流电机和步进电机驱动系统中，STF16N50M2 能够以高效率控制电动机的启动、停止和速度调节。
- 负载开关：在各种电源管理应用中充当负载开关，支持快速切换和高电流承载能力。
优势
- 高耐压与高电流: 该器件的 500V 工作电压和 13A 连续漏极电流使其可以应对各种高压应用，为用户提供了更大的设计灵活性。
- 低导通电阻: 低 Rds On 确保了更高的能量效率，减少了功耗，提高了设备的整体性能。
- 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度范围使其适用于严苛的环境条件，增加了其在工业应用中的可靠性。
封装特性
STF16N50M2 采用 TO-220-3 封装，具备良好的散热性能。此封装设计不仅方便了安装，还能有效地提高散热能力，确保器件在高负载下的稳定运行。
总结
STF16N50M2 是功能强大的 N 通道 MOSFET，适合于各种高压、高电流的应用场合。凭借其优越的电性能、高工作温度范围和良好的散热能力，STF16N50M2 是电源设计、马达驱动及其他电力控制应用中不可或缺的元器件之一。无论是在消费类电子产品，还是在工业设备中，该 MOSFET 都能为设计人员提供灵活的解决方案，助力高效与稳定的电源管理。