FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 5.3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 528pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
FDS9435A是一款高性能的P沟道MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,特别适合需要低导通电阻和高效率的场合。其采用金属氧化物半导体技术(MOSFET),在电源管理、开关电路、负载驱动及信号处理等领域表现出色。以下是FDS9435A的详细性能指标及应用场景的介绍。
FDS9435A的漏源电压(Vdss)最高可达到30V,能够有效满足中等电压应用的需求。产品在25°C环境温度下的最大连续漏极电流(Id)为5.3A,能够适应一般功率需求的电子电路此外,该器件支持多种驱动电压条件,有效提供最低导通电阻(Rds(On))的优越性能。具体而言,FDS9435A在10V的驱动电压下,最大导通电阻为50毫欧,为高效能低功耗应用提供了良好的基础。
FDS9435A具有出色的开关特性,使用该MOSFET时,栅极阈值电压(Vgs(th))最大为3V,在250µA的漏极电流条件下表现稳定。这意味着,该器件非常适合对栅电压敏感的应用场景。其栅极电荷(Qg)最大值为14nC于10V下,确保了快速开关特性,有助于降低开关损耗,提高整体电路效率。
在输入电容(Ciss)方面,FDS9435A在15V的工作状态下最大值为528pF,显示出良好的输入特性。这一特性使其在高频应用中能够保持稳定信号传输并减少损耗,对电源管理和开关电路特别重要。
FDS9435A的工作温度范围广泛,从-55°C到175°C,确保该器件在极端环境中仍能保持优异的性能,适合汽车、航空航天以及工业控制等苛刻应用。同时,该设备采用8-SOIC封装,紧凑的设计允许便捷的表面贴装,有助于减小PCB面积并提高集成度。
该器件的最大功率耗散能力为2.5W,这一参数对于理解器件在不同工作条件下的热管理至关重要。合理设计热管理系统能够确保FDS9435A在高负载条件下稳定运行。
FDS9435A的设计使其在多种应用中表现出色,尤其在以下领域:
FDS9435A凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,成为了各类电子设备中的理想选择。无论是在低功率还是中等功率场合,它都能够提供良好的导电性和低导通电阻,帮助设计人员实现高性能电路的需求。其可靠的工艺和优质的设计使其成为现代电源管理解决方案中的重要元件,是用户值得信赖的选择。