晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | UMT3 |
DTC144TUAT106 是一款由日本 ROHM(罗姆)公司生产的数字晶体管。该晶体管采用 NPN 结构并提供预偏压功能,适用于广泛的电子应用领域,包括逻辑电平转换、开关控制、信号放大等。这款产品的最大集电极电流为 100mA,最大集射极击穿电压为 50V,能够满足大多数中低功率应用的需求。其较高的电流增益、迅速的响应频率以及低功耗特性,使其在现代电子电路设计中非常受欢迎。
优越的增益特性:DTC144TUAT106 在较低的接通电流(Ib)下即可提供高达 100 的电流增益(hFE),这使得它在放大微弱信号时显示出更高的效率。
低饱和电压:在高频开关应用中,DTC144TUAT106 具有的低饱和压降(300mV)使其能够显著降低功率损耗,并提高系统的整体效率。
高速响应能力:该晶体管的跃迁频率高达 250MHz,非常适合高频应用,如 RF 放大器和开关电源,能够有效地提高信号传输速率。
超低截流电流:集电极截止电流( ICBO)仅为 500nA,使得产品在离线状态下的功耗更低,适合于电池供电设备,延长了总体使用时间。
精巧的表面贴装封装:SOT-323/UMT3 封装使其特别适合于空间有限的应用场合,便于自动化贴片和高密度电路板的设计需求。
DTC144TUAT106 泛应用于各类电子设备,特别是:
DTC144TUAT106 是一款高性能的 NPN 数字晶体管,凭借其优越的电流增益、低饱和电压、快速的频率响应和小巧的封装设计,成为现代电子电路设计中的理想选择。无论是在高频开关控制,还是在信号放大应用中,该元器件都能提供稳定可靠的性能。ROHM 公司的产品质量和市场口碑,使 DTC144TUAT106 成为众多工程师和设计师首选的组件之一,满足不同的工程需求。