ULN2065B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ULN2065B

商品编码: BM69417991
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
PDIP-16
包装 : 
管装
重量 : 
2.05g
描述 : 
达林顿晶体管阵列 ULN2065B PowerDIP-16
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
28.58
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥28.58
--
100+
¥25.52
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

ULN2065B参数

晶体管类型4 NPN 达林顿(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1.75A
电压 - 集射极击穿(最大值)80V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.5V @ 2.25mA,1.5A
功率 - 最大值1W工作温度-20°C ~ 85°C(TA)
安装类型通孔封装/外壳16-PowerDIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装16-PowerDIP(20x7.10)

ULN2065B手册

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ULN2065B概述

ULN2065B 产品概述

产品简介

ULN2065B是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的达林顿晶体管阵列,采用16-PowerDIP封装。这款元件设计用于高效的功率开关应用,特别适合于驱动电机、继电器与灯光等负载。凭借其出色的电流承载能力及较低的饱和压降,ULN2065B成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。

技术参数

ULN2065B是一个四通道的NPN达林顿晶体管阵列,每个通道的最大集电极电流(Ic)可达到1.75A,充分满足中高功率负载的需求。此外,该器件的集射极击穿电压最大值为80V,为其在各种高压环境下的应用提供了可靠性保障。为了有效降低功耗和优化性能,ULN2065B的时序参数设定中,集电极饱和压降(Vce_sat)在特定工作条件下(例如,Ib为2.25mA且Ic为1.5A时)可达到最大值1.5V。

工作环境与兼容性

ULN2065B的工作温度范围为-20°C至85°C,适应了大多数工业和消费电子环境的需求。同时,16-PowerDIP封装形式使其与现有的多种电路设计兼容且易于组装。通孔安装方式便于在多层或单层PCB中应用,为设计师提供了较好的灵活性。

应用场景

ULN2065B适用于许多需要高功率开关的应用,包括:

  1. 电机驱动:可用于直流电机和步进电机的驱动,尤其在需要双向控制的场合更显优势。
  2. 继电器控制:由于其较高的输出电流能力,ULN2065B能够驱动多个继电器,实现电源管理和负载切换。
  3. 灯光控制:适用于各种照明应用,能够驱动LED灯、荧光灯和其他类型的照明设备,实现高效的控制和调光。
  4. 电子开关:在自动化控制和传感器接口中,ULN2065B充当电子开关,能够有效管理信号和无线通讯设备中的负载。

优势与特性

考虑到现代电子元器件的多样化需求,ULN2065B展现出诸多特性与优势:

  • 高功率支持:1.75A的集电极电流以及80V的耐压能力使其能够满足不同的高功率应用需求。
  • 低饱和电压:在达林顿型设计中,ULN2065B实现了有效的电流放大与功率损失管理,降低了系统的整体功耗。
  • 可靠性强:宽广的工作温度范围及耐压特性使其在各种工作环境中保持稳定,增加了系统的可靠性。
  • 封装便利:PowerDIP封装形式不仅便于制造商使用,同时为设计人员提供了良好的布线和连接选择。

结论

通过优异的电参数及多功能特性,ULN2065B达林顿晶体管阵列在现代电子设计中扮演着关键角色。其适应性强、工作可靠,适合用在各种工业和消费产品中。无论是在电机控制、照明管理还是其他高功率设备中,ULN2065B都提供了强大的性能支持,是设计师和工程师值得信赖的选择。