晶体管类型 | 4 NPN 达林顿(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.75A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 2.25mA,1.5A |
功率 - 最大值 | 1W | 工作温度 | -20°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 16-PowerDIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 16-PowerDIP(20x7.10) |
ULN2065B 产品概述
产品简介
ULN2065B是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的达林顿晶体管阵列,采用16-PowerDIP封装。这款元件设计用于高效的功率开关应用,特别适合于驱动电机、继电器与灯光等负载。凭借其出色的电流承载能力及较低的饱和压降,ULN2065B成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。
技术参数
ULN2065B是一个四通道的NPN达林顿晶体管阵列,每个通道的最大集电极电流(Ic)可达到1.75A,充分满足中高功率负载的需求。此外,该器件的集射极击穿电压最大值为80V,为其在各种高压环境下的应用提供了可靠性保障。为了有效降低功耗和优化性能,ULN2065B的时序参数设定中,集电极饱和压降(Vce_sat)在特定工作条件下(例如,Ib为2.25mA且Ic为1.5A时)可达到最大值1.5V。
工作环境与兼容性
ULN2065B的工作温度范围为-20°C至85°C,适应了大多数工业和消费电子环境的需求。同时,16-PowerDIP封装形式使其与现有的多种电路设计兼容且易于组装。通孔安装方式便于在多层或单层PCB中应用,为设计师提供了较好的灵活性。
应用场景
ULN2065B适用于许多需要高功率开关的应用,包括:
优势与特性
考虑到现代电子元器件的多样化需求,ULN2065B展现出诸多特性与优势:
结论
通过优异的电参数及多功能特性,ULN2065B达林顿晶体管阵列在现代电子设计中扮演着关键角色。其适应性强、工作可靠,适合用在各种工业和消费产品中。无论是在电机控制、照明管理还是其他高功率设备中,ULN2065B都提供了强大的性能支持,是设计师和工程师值得信赖的选择。