注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STD16N65M2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 110W 650V 11A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
10.11按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥10.11
--
100+
￥8.72
--
1250+
￥8.31
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD16N65M2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 718pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD16N65M2手册
无数据
STD16N65M2概述
产品概述：STD16N65M2 N沟道MOSFET
基本信息
STD16N65M2 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其具备650V的漏源电压（Vdss），适合高压应用，同时最大连续漏极电流（Id）可达11A（在Tc=25°C时），为电源管理、开关电源及马达驱动等领域提供了优越的解决方案。
关键参数
漏源电压（Vdss）： 650V
- 此电压等级使STD16N65M2非常适用于高电压的应用场合，如工业电源、逆变器和高压照明等。
连续漏极电流（Id）： 11A（Tc=25°C）
- 可在较高的工作温度下（如75°C）实现更高的工作电流，适合在要求较高的负载情境下使用。
导通电阻（Rds(on)）： 最大值为360毫欧（在5.5A、10V时）
- 较低的Rds(on)可有效降低在开关过程中的能量损耗，提高系统的整体效率。
驱动电压（Vgs）： 最大值为±25V
- 独特的驱动电压范围使得该器件在多种驱动电路中都具备良好的兼容性。
栅极电荷（Qg）： 最大值为19.5nC（在10V时）
- 较低的栅极电荷使得驱动电路设计更为简单，并能够在较快的开关速度下工作。
输入电容（Ciss）： 最大值718pF（在100V时）
- 尽量减少输入电容有助于提升开关速度，降低开关损耗。
工作温度范围： -55°C ~ 150°C（TJ）
- 这一广泛的温度范围使得该MOSFET能够在严苛和极端的环境下稳定工作。
封装及安装
STD16N65M2采用DPAK（TO-252-3）封装，这是一种表面贴装型（SMD），适合现代电子电路板的无铅和节能焊接要求。DPAK封装提供优异的散热性能，有助于增强器件的功率处理能力。
应用领域
- 电源转换： 该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、适配器等电源管理模块，能够有效降低能耗并提升系统效率。
- 马达控制： 在直流和交流马达驱动应用中，STD16N65M2可用作开关器件，为马达提供快速且高效的驱动方案。
- 逆变器： 该器件在太阳能逆变器、焊接机、家用电器逆变器等高能量转换设备中也得到了广泛应用。
- 照明技术： 在高压LED驱动等照明应用中，能够满足严格的电流要求。
结论
STD16N65M2 N沟道MOSFET提供了650V的高漏源电压和11A的高持续电流，并具有卓越的导通电阻和广泛的工作温度范围。凭借卓越的性能数据和适应性，它成为高效电源管理和控制应用的理想选择。ST的高可靠性和优质封装设计，确保了应用电路的长期稳定运行。无论是在高压电源还是在马达驱动领域，STD16N65M2都能提供理想的解决方案。