FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 200 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 210nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4500pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 280W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP360PBF 是由威世(VISHAY)公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),适用于高电压和高电流的应用场合。这款 MOSFET 以其优越的性能、可靠的稳定性和多种应用场景的兼容性,成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。
电气参数:
功率与热性能:
封装与安装:
IRFP360PBF MOSFET 广泛应用于各种高功率电子电路,包括但不限于:
其高电压和高电流能力,使其在汽车、工业供电和重载电器等领域尤为重要。
IRFP360PBF 的突出特点在于其优异的导通特性和高频响应能力,使其在工作过程中能够最大限度降低能量损耗,提升系统的总体效率。此外,VISHAY 在产品的设计与制造方面具有丰富的经验,其 MOSFET 经严格测试,确保能满足严苛的应用需求。
IRFP360PBF 是一款高效能、高稳定性的 N 沟道 MOSFET,凭借其400V的高漏源电压、23A的高电流能力和280W的功率散热能力,使其成为电子设计师和工程师在选择高功率元器件时的优先选择。其广泛的工作温度、优秀的电气特性以及高可靠性,不仅保证了产品在各种电气环境下的稳定性,也为多种行业的电源管理系统提供了强有力的支持。对于需要高性能的应用场合,IRFP360PBF 是一个理想的解决方案。