FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.3 毫欧 @ 70A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 93nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3183pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 99W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB7446PBF 产品概述
产品简介
IRFB7446PBF是一款高性能的N沟道MOSFET,由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。该器件专为高功率应用而设计,具备较高的漏源电压和连续漏极电流能力,适合于各种工业和消费类电子设备的电源管理方案。其广泛的工作温度范围和优异的电气性能,使得IRFB7446PBF成为现代电力电子设计中的可靠选择。
主要参数
IRFB7446PBF的关键性能参数如下:
应用场景
IRFB7446PBF广泛应用于以下领域:
优势
选用IRFB7446PBF的主要优势在于其出色的热管理和电气性能。较低的导通电阻减少了开关损耗,进而提高了整体能效。此外,该器件的高电流和电压能力,确保其在高强度工作条件下依然能够稳定运行,对提升产品的可靠性至关重要。
总结
IRFB7446PBF是一款全面的高功率N通道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用范围,提供了功能强大且经济高效的解决方案。无论是用于电源转换、驱动电机还是在工业控制方面,这款MOSFET都展现出了极大的潜力,符合当今电力电子行业对性能和可靠性的高要求。