IRFB7446PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFB7446PBF

商品编码: BM69417934
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 99W 40V 120A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
14(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
2.99
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.99
--
50+
¥2.31
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFB7446PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.3 毫欧 @ 70A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)93nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3183pF @ 25V
功率耗散(最大值)99W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRFB7446PBF手册

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IRFB7446PBF概述

IRFB7446PBF 产品概述

产品简介

IRFB7446PBF是一款高性能的N沟道MOSFET,由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。该器件专为高功率应用而设计,具备较高的漏源电压和连续漏极电流能力,适合于各种工业和消费类电子设备的电源管理方案。其广泛的工作温度范围和优异的电气性能,使得IRFB7446PBF成为现代电力电子设计中的可靠选择。

主要参数

IRFB7446PBF的关键性能参数如下:

  • FET类型:N通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):40V,适合中高电压应用
  • 连续漏极电流(Id):在25°C下可达120A(Tc),适合高流量的电力传输
  • 驱动电压:最大Rds On为6V,最小Rds On为10V,方便与不同控制逻辑兼容
  • 导通电阻(Rds On):在10V的栅极源电压下,最大导通电阻为3.3毫欧@70A,显示出优异的导通性能,降低了开关损耗
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为3.9V@100µA,体现出良好的开关性能
  • 栅极电荷(Qg):在10V的驱动下,栅极电荷的最大值为93nC,这有助于提高开关速度和效率
  • Vgs:承受电压最大值为±20V,增加了对栅极驱动电压的安全裕量
  • 输入电容(Ciss):最大值为3183pF,在25V的漏源电压下,反映出器件的良好频率特性
  • 功率耗散(Pd):最大值为99W(Tc),能够满足高功率应用的需求
  • 工作温度范围:-55°C至175°C(TJ),适用于各种严苛的工作环境
  • 封装类型:TO-220AB,提供良好的散热性能,便于散热器的安装
  • 供应商器件封装:TO-220-3,满足一般电子布线要求

应用场景

IRFB7446PBF广泛应用于以下领域:

  1. 电源变换器:用于DC-DC转换器、AC-DC电源和UPS系统中,能够有效提升系统的能效。
  2. 电机驱动:在电动机驱动电路中可用作开关元件,实现高效的动能转换。
  3. 电动车:在电动汽车的动力系统中,作为了电力管理的重要组成部分。
  4. 消费电子:在高性能的消费类电子设备中,提供稳定的电源输出。
  5. 工业自动化:用于自动化控制电路,提升工业装备的性能。

优势

选用IRFB7446PBF的主要优势在于其出色的热管理和电气性能。较低的导通电阻减少了开关损耗,进而提高了整体能效。此外,该器件的高电流和电压能力,确保其在高强度工作条件下依然能够稳定运行,对提升产品的可靠性至关重要。

总结

IRFB7446PBF是一款全面的高功率N通道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用范围,提供了功能强大且经济高效的解决方案。无论是用于电源转换、驱动电机还是在工业控制方面,这款MOSFET都展现出了极大的潜力,符合当今电力电子行业对性能和可靠性的高要求。