ULN2003BDR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ULN2003BDR

商品编码: BM69417913
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
SOIC-16
包装 : 
编带
重量 : 
0.297g
描述 : 
其他晶体管
库存 :
2(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
1.07
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.07
--
100+
¥0.822
--
1250+
¥0.696
--
2500+
¥0.59
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

ULN2003BDR参数

晶体管类型7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 500µA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值)50µA工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型表面贴装型封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装16-SOIC

ULN2003BDR手册

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ULN2003BDR概述

ULN2003BDR 产品概述

产品简介

ULN2003BDR 是由德州仪器(TI)制造的一款 NPN 达林顿晶体管阵列,其设计旨在满足需要较高电流驱动能力的应用。此器件集成了多个达林顿对,可以有效控制大功率负载,如继电器、电机和其他高电流组件。它的特点是拥有较高的电压和电流处理能力,非常适合在现代电子设计中用于驱动和控制电气设备。

主要功能与特性

  1. 达林顿配置: ULN2003BDR 采用七个 NPN 达林顿晶体管的阵列设计,这使得每个通道能够支持最大500mA的集电极电流(Ic),为用户提供了强大的驱动能力。

  2. 高击穿电压: 器件的集射极击穿电压达到50V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适合多个高电压应用场合。

  3. 饱和压降: 在典型的使用条件下,该晶体管在500µA和350mA的集电极电流下,最大饱和压降(Vce)为1.6V。这一特性确保了高效的能量传输,同时减少了系统中的功耗及发热。

  4. 低截止电流: 此器件在集电极截止状态下最大提供50µA的截止电流,显示出良好的性能,能够在非工作状态下有效降低能耗。

  5. 宽工作温度范围: ULN2003BDR 的工作温度范围从-40°C 到 105°C,使其在多种环境条件下均可可靠工作,适用于工业、消费电子以及汽车电子等各种应用领域。

  6. 表面贴装设计: 该器件采用16-SOIC封装,适合于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产线的组装,节省空间并提高生产效率。

应用场景

ULN2003BDR 由于其优越的电流驱动特性,广泛运用于多个领域:

  • 继电器驱动: 作为微控制器或其他逻辑电平输出接口的接口,ULN2003BDR 可以有效驱动继电器,控制电源开关及负载切换。

  • 步进电机驱动: 在步进电机控制应用中,ULN2003BDR 可用作控制信号的信号放大,确保电机获得足够的电流。

  • LED驱动: 在多通道LED驱动电路中,用于控制多颗LED共同工作,提升亮度和效率。

  • 家用电器: 在家用电器如洗衣机、空调及冰箱中,通过其驱动电路可以控制电机及其它高电流元件的启停。

设计注意事项

在设计使用 ULN2003BDR 的电路时,考虑以下几点可以提升性能和可靠性:

  1. 散热管理: 鉴于其在高电流下的工作状态,会产生一定的热量,合适的散热措施(如散热片)可以提高工作稳定性。

  2. 电源近端接地: 确保电源连接的稳固性,对于保持电路的稳定性和减少干扰至关重要。

  3. 保护电路: 在控制电机和继电器等设备时,尤其是感性负载,建议使用二极管等保护元件,防止反向浪涌电流对晶体管的损害。

总结

ULN2003BDR 是一款优秀的 NPN 达林顿型晶体管阵列,其一系列的出色特性使其在多种高电流应用中表现卓越。凭借其合理的价格和高可靠性,ULN2003BDR 逐渐成为设计师和工程师们的首选部件之一。无论是在工业自动化、消费电子还是汽车电子领域,ULN2003BDR 都展示了出色的性能和广泛的应用潜力。