类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 12V | 电压 - 击穿(最小值) | 13.3V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 19.9V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 10.1A |
功率 - 峰值脉冲 | 200W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 483pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-219AB | 供应商器件封装 | SMF |
产品概述:SMF12A-E3-08 齐纳瞬态抑制二极管
一、基本信息
SMF12A-E3-08 是由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产的一款高性能瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),具有强大的保护功能,其在电气过载情况下表现出优异的稳定性和高效能。该元器件采用表面贴装型(SMF),封装形式为DO-219AB,适合现代电子设备的紧凑设计,广泛应用于各种电源线路和信号线路的过压保护。
二、关键参数
三、功能与应用
SMF12A-E3-08 专为保护敏感电子设备和电路而设计,尤其是在瞬态过电压出现时。其反向击穿电压为13.3V,确保在超过此值时,二极管能够迅速导通,从而将过高的电压限制在安全范围内。这使得SMF12A-E3-08非常适合用于各种电子设备,如通信设备、消费电子、汽车电子及工业控制设备。
在实际应用中,该器件能够有效保护电路板上的各种敏感元件,防止静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和浪涌电流等过电压引发的损坏。其峰值脉冲电流为10.1A,峰值功率为200W,能够在短时间内承受高电流的冲击,增强电路的可靠性。
四、性能优势
高击穿电压:其最小击穿电压高达13.3V,使其在多种应用场合能够提供高效的保护,尤其是在电压波动频繁的环境中。
良好的高温稳定性:工作温度范围宽广,从-65°C到175°C,确保该二极管在极端温度下仍能稳定工作,满足严格的工业和汽车标准。
小型化和轻量化设计:采用SMF封装,适合表面贴装,减少了PCB面积,使得整体设计更加紧凑。
低电容:在1MHz频率下,电容仅为483pF,减少信号衰减,同时提高了信号传输的完整性,特别适合高频电子线路的保护。
五、结论
SMF12A-E3-08 齐纳瞬态抑制二极管是应用于电源及信号线路保护领域的理想选择,其优异的参数和性能使其在各种电子设备中得以广泛应用。无论是在通信、消费电子还是汽车电子中,SMF12A-E3-08 都能提供卓越的过压保护,帮助设计工程师开发出更加安全、可靠的电子产品。选择VISHAY的SMF12A-E3-08,意味着选择了一份安心和保障。