SI7454DDP-T1-GE3
SI7454DDP-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 4.1W（Ta），29.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7454DDP-T1-GE3手册
SI7454DDP-T1-GE3概述
SI7454DDP-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI7454DDP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由威世（VISHAY）公司生产，采用 PowerPAK® SO-8 封装，适合用于各种高功率电子应用。该 MOSFET 主要以其优越的电流处理能力和高效的开关性能而受到广泛欢迎，特别是在功率管理、开关电源、DC-DC 转换器及马达驱动等领域。
二、技术参数
漏源电压（Vds）: 该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，能够满足多种工作环境下的电气要求。
电流处理能力（Id）: 在 25°C 的环境温度下，SI7454DDP-T1-GE3 可以连续承载 21A 的电流。此特性使得它非常适合用于高功率应用中。
门极驱动电压（Vgs）: MOSFET 的驱动电压在 4.5V 至 10V 范围内具有卓越的导通性能，达到最佳导通电阻（Rds(on)）值。特别是，在 10V 时的最大导通电阻为 33 毫欧（@ 10A），极大地减小了导通损耗。
阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的 Vgs(th) 最大值为 3V（@ 250µA），为设计者提供了极佳的设计灵活性。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 下，栅极电荷最大值为 19.5nC，表明该 MOSFET 的开关速度快，有助于提高开关频率，减少开关损耗。
输入电容（Ciss）: 在 50V 下，输入电容为 550pF，这一特性意味着该器件对驱动电路的负担较小，适合高频操作。
功率耗散: SI7454DDP-T1-GE3 的最大功率耗散为 4.1W（环境温度 Ta），和 29.7W（结温 Tc），同时考虑到其较高的工作温度范围 -55°C 至 150°C，可以在极端环境下稳定工作。
三、应用场景
由于其卓越的性能，SI7454DDP-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
开关电源（SMPS）: 在各类电源转化器中，尤其是需要高效转换的 DC-DC 转换器。
马达驱动: 适合用于直流电机和步进电机的控制驱动，能够提供稳定的电流输出。
LED 驱动器: 在 LED 照明和显示设备中，用于高效驱动高功率 LED 模块。
消费电子: 应用于电视、计算机和音响设备中，以优化功率管理和提高能效。
四、总结
SI7454DDP-T1-GE3 N 通道 MOSFET 是一款性能优异的高功率电子元件，具备良好的电气特性和高效的散热性能，适合在各种复杂和多变的应用环境中使用。其出色的漏源电压、连续电流能力、低导通电阻以及高频开关能力，使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。在能效、体积和性能之间找到完美平衡的同时，威世品牌的可靠性也为您的设计提供了额外的保障。无论是在工业、汽车还是消费类电子产品中，SI7454DDP-T1-GE3 都能充分满足设计者和制造商对高性能 MOSFET 的需求。