安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 43A |
栅极电荷 | 100nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | NPT | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.4V @ 15V,11A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 80A |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 开关能量 | 950µJ(开),1.3mJ(关) |
测试条件 | 960V,11A,10 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 298W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 23ns/180ns | 反向恢复时间 (trr) | 70ns |
封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
HGTG11N120CND 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其设计用于高压和高电流的电源转换应用,特别适合于电动机驱动、逆变器以及可再生能源发电系统等领域。其工作电压最高可达1200V,最大集电极电流可达到43A,使其在高功率应用中表现出色。
HGTG11N120CND 的设计使其适合于诸多高功率应用,主要包括但不限于:
HGTG11N120CND IGBT 以其稳定性、高效性和宽广的适用场景成为现代电力电子领域的重要选择。安森美推出的这一高压、高流量器件,能够在多种应用中提供卓越的性能,助力于推动现代电力电子技术的发展。这款IGBT管的设计和特性,显示了其在高要求电气应用中的强大能力,是工程师和设计师在选择电力转换元件时的理想选择。选择HGTG11N120CND,将是智能电源管理和高效能电力转换的可靠解决方案。