TPD4E02B04DQAR

TPD4E02B04DQAR 产品概述

产品简介 TPD4E02B04DQAR是德州仪器（Texas Instruments, TI）推出的一款瞬态抑制二极管（TVS Diode），专为电源线和数据线的过压保护设计。该元器件采用表面贴装型（SMD）封装，具有良好的热性能和较小的占板面积，适合用于各种电子设备。TPD4E02B04DQAR主要应用于HDMI（高清多媒体接口）等高流量数据传输接口，需要在电源与信号线之间提供可靠的瞬态保护，以防止电压瞬变对电子设备的损坏。

技术规格 TPD4E02B04DQAR的主要技术参数如下：

• 类型：齐纳双向通道设计，使其能够有效抑制正向和反向的瞬态电压。
• 电压：
  • 反向断态电压（最大）：3.6V
  • 击穿电压（最小）：5.5V
  • 不同Ipp时的电压箝位（最大）：8.8V（标准型）
• 电流：
  • 峰值脉冲电流：5A（10/1000µs，8/20µs）
• 功率：峰值脉冲功率为17W，能够有效承受高能瞬态波形。
• 频率特性：在1MHz时，电容为0.27pF，适合高速数据接口应用。
• 工作温度范围：从-40°C到125°C，适配各种环境条件下的电子设备要求。
• 封装形式：采用10-UFDFN（USON-10，2.5x1mm）封装，助力小型化设计。

应用场景 TPD4E02B04DQAR特别适用于HDMI等高速数据传输接口，这些接口通常受到静电放电（ESD）、电压瞬变及其他电气干扰的影响。使用这种瞬态抑制二极管可以有效防止由于各种外部因素引起的瞬时过电压，保护连接的敏感电子组件不被损害。其优异的带宽性能，使它也可以在需要快速信号传输、高频率的应用中提供有效的保护。

性能优势

1. 高可靠性：TPD系列产品遵循严格的质量标准，具有较高的载流能力和耐受高能瞬态脉冲的能力。
2. 小型化设计：基于其紧凑型封装，使过压保护设计更为简便且占用空间更小，为复杂电路设计提供了良好的兼容性。
3. 宽温范围：其宽温工作范围使其适应于极端环境，适用于车载、工业设备和消费电子等多种应用场景。
4. 低电容特性：低至0.27pF的电容特性使得该器件在高速数据传输中几乎不会引入额外的延时和信号畸变。

总结 TPD4E02B04DQAR是一款优秀的瞬态抑制二极管，凭借其高效的过压保护功能与紧凑的封装设计，成为现代电子设备中不可或缺的保护器件。在该元器件的辅助下，设计工程师能够更安心地设计和部署高频率的通信系统，有效防止潜在的损坏风险，提升了整体系统的可靠性和稳定性。