SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3 产品概述

产品简介

SIR164DP-T1-GE3 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用了 VISHAY（威世）公司先进的 TrenchFET® 技术。其设计用于满足现代电源管理和开关应用的需求，具有出色的电流承载能力和低功耗特性。这款 MOSFET 在高达 30V 的漏源电压和 50A 的连续漏极电流条件下工作，兼顾了高效能和热稳定性，适合广泛的电子设计应用。

基本参数

• 器件类型: N-MOSFET
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 最大连续漏极电流（Id）: 50A（在 25°C 时）
• 瞬态漏极电流（Idm）: 70A
• 最大功率耗散: 5.2W（在环境温度 Ta 下），69W（在结温 Tc 下）
• 驱动电压: 支持 4.5V 和 10V 的驱动电压
• 最大导通电阻 (Rds(on)): 2.5 毫欧（在 10V 驱动电压、15A 时测得）
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 2.5V（在 250µA 测量时）
• 栅极电荷（Qg）: 最大 123nC（在 10V 下测得）
• 输入电容（Ciss）: 最大 3950pF（在 15V 条件下）
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C（结温 TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装: PowerPAK® SO-8

应用领域

SIR164DP-T1-GE3 特别适用于需要高效能和高电流处理能力的电源设计，其主要的应用领域包括：

• DC-DC 转换器: 由于其低导通电阻，适合在电压转换中减少损耗，从而提高整体能效。
• 电源管理 IC: 在各类电源管理解决方案中，能够提供卓越的性能。
• 电机控制: 在驱动电机的应用中，能够提供稳定可靠的开关性能。
• 高频开关电源: 适合用于高频率下的开关电源设计，降低开关损耗。
• 电池供电应用: 在电池管理系统中该 MOSFET 能够有效控制电流，增强设备的续航能力。

性能优势

1. 优异的导通特性: SIR164DP-T1-GE3 以其低 Rds(on) 提供最小的导通损耗，使其在高电流应用中表现优异，极大地提高了系统效率。

2. 高温工作能力: 该器件可以在-55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围内运行，适合严苛的工业和航空航天环境。

3. 高电流承载能力: 其最大瞬态漏极电流可达到 70A，确保能够处理突发的高负载条件而不导致失效。

4. 灵活的驱动电压: 支持 4.5V 和 10V 的驱动电压，方便与不同控制电路的兼容性。

5. 表面贴装封装: PowerPAK® SO-8 封装设计占用空间小，便于自动化生产，符合现代电子产品微型化的发展趋势。

结论

总之，SIR164DP-T1-GE3 是一个极具竞争力的 N 通道 MOSFET，凭借其突出的电性能、宽广的应用范围及适应性，成为高效能电源管理和开关应用中的理想选择。无论在什么样的工作条件下，该器件都能够提供稳定的性能和可靠的解决方案，确立了其在现代电子设计中的重要地位。