晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 30mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,5mA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-723 | 供应商器件封装 | VMT3 |
产品名称: DTA044EMT2L
品牌: ROHM (罗姆)
类型: PNP 晶体管(预偏压)
封装: SOT-723 (VMT3)
安装类型: 表面贴装型
DTA044EMT2L 是 ROHM 公司推出的一款高性能 PNP 晶体管,专为需要高效开关和放大应用的数字电路而设计。凭借其优良的电气特性和紧凑的 SOT-723 封装,该元件广泛应用于消费电子、通信设备及各种工业控制系统中。
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 mA
DTA044EMT2L 的集电极最大电流为 30 mA,适合小功率的开关和信号放大应用。
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
在设计过程中,该晶体管可以承受高达 50 V 的集射极击穿电压,为电路提供了良好的抗干扰能力和可靠性。
DC 电流增益 (hFE): 最小值 80 (具体条件下如 5 mA 和 10 V)
该产品具有优秀的电流增益,使其在低基极电流下能驱动较大的集电极电流,从而提高了其在多种应用中的适用性。
Vce 饱和压降(最大值): 150 mV (在 500 µA 和 5 mA 条件下)
该元件在饱和状态下的低压降特性保证了更高的电能转换效率,为电路设计提供了更大的灵活性。
频率 - 跃迁: 250 MHz
DTA044EMT2L 的高跃迁频率使其非常适合用于高频率的开关或放大应用,能够有效处理快速信号变化。
功率 - 最大值: 150 mW
在设计时要考虑其最大功率限制,该晶体管在合适的散热条件下可安全工作,提供稳定的性能。
DTA044EMT2L 是一款理想的选择,用于多种电子应用,包括但不限于:
此外,由于其小巧的 SOT-723 封装,DTA044EMT2L 也非常适合于空间受限的应用场合,能够在有限的PCB布局中实现出色的性能。
在使用 DTA044EMT2L 进行电路设计时,应注意以下几点:
DTA044EMT2L 是一款功能强大且适应性广泛的 PNP 晶体管,其优良的电气性能和紧凑的封装设计使其在多种应用中成为理想选择。无论是用于家庭电器、通信设备,还是工业自动化控制,这款晶体管都能为设计师提供灵活且可靠的电路解决方案。ROHM 作为知名品牌,其产品在电子行业中的信任度也为 DTA044EMT2L 提供了额外的保障。