STD8N65M5

产品概述：STD8N65M5 N沟道MOSFET

基本信息

STD8N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件专为高电压应用设计，具有出色的电流承载能力和低导通电阻，适合于电源管理、逆变器和其他高效电力转换应用。

关键参数

• FET类型：N通道，这使得该MOSFET在应用中能够提供更高的效能。
• 技术：采用MOSFET技术，具有快速开关性能和高效率。
• 漏源电压（Vdss）：650V，足以满足大多数高电压工业应用的需求。
• 连续漏极电流（Id）：7A（Tc）。在额定温度下，这款MOSFET能够稳定地输出7A的漏极电流，适合在高负载条件下工作。
• 导通电阻（Rds(on)）：在较大电流（如3.5A、10V）的情况下，导通电阻最大为600毫欧，这大大降低了能量损失和发热。
• 驱动电压：最大Rds(on)条件下的驱动电压为10V，保证了高效能和较低的驱动功耗。
• 阈值电压（Vgs(th)）：在Id=250µA的情况下最大值为5V，便于驱动设计。
• 栅极电荷（Qg）：在10V下，最大栅极电荷为15nC，快速开关响应特性为其在高频率应用中提供了良好的性能。
• 最大Vgs：为±25V，适应各种驱动电路。
• 输入电容（Ciss）：在100V时，输入电容最大为690pF，良好的高频性能。
• 功率耗散（Pd）：最大功率耗散为70W（Tc），适合高功率应用。
• 工作温度：具备150°C的高工作温度，这使得STD8N65M5在极端环境条件下仍能可靠工作。
• 封装类型：表面贴装型（DPAK），便于自动化生产和现场安装。

应用领域

STD8N65M5非常适合用于各类高电压转换电源、一般电源管理、开关电源、逆变器、马达控制及其他要求高效率的电力电子应用。其低导通电阻、高电流能力和良好的热管理性能使其在高性能和高可靠性应用中表现卓越。

性能优势

1. 高导通效率：由于低Rds(on)，在实际应用中可显著减少热量产生和电能损耗，提升整体系统效率。
2. 可靠性：以150°C的高工作温度和70W的高功率处理能力，确保在严苛环境下的高稳定性和可靠性。
3. 便于集成：DPAK封装模式适合自动化生产，简化了装配过程，提高了生产效率。
4. 快速开关特性：低栅极电荷确保了快速开关能力，适合用于高频率开关电源设计。

总结

STD8N65M5 N沟道MOSFET是一个高性能的电源转换组件，广泛应用于工业电子、净电源和电动车辆等多个领域。其优秀的电气性能、高温工作能力及受欢迎的封装形式，使得它成为电力电子设计中的首选器件之一。无论是在高电压、高电流场合，还是在节能、高效的电源管理设计中，STD8N65M5都能提供理想的解决方案。