STD30N10F7
STD30N10F7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | 20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1270pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD30N10F7手册
STD30N10F7概述
产品概述：STD30N10F7 N通道MOSFET
一、基本信息
STD30N10F7 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件封装为 DPAK（TO-252-3），其结构设计为表面贴装型，适用于现代电子设备中的各种应用。凭借其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围，STD30N10F7 在功率管理与开关调节领域中具有极高的应用价值。
二、电气参数
STD30N10F7 具有以下关键电气参数：
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达 100V，适合高电压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，最大连续漏极电流可达到 32A，展现其强大的负载能力。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs 为 10V 的条件下，最大导通电阻为 24毫欧（@16A），这意味着在驱动时能耗极低，能够提高系统效率。
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4.5V（@250µA），适合多种驱动电路。
- 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 10V 的情况下，栅极电荷最大为 19nC，这在高频开关应用中可以显著降低开关损耗。
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 1270pF（@50V），这使得该器件在高速切换时表现出良好的动态特性。
- 功率耗散（Pd）: 最高可耗散功率为 50W（@Tc），适合高功率的应用。
- 工作温度范围: 此器件可在-55°C ~ 175°C的广泛温度范围内正常工作，确保其可靠性和稳定性。
三、应用场景
STD30N10F7 可广泛应用于以下领域：
开关电源: 由于其低导通电阻和高效率，该MOSFET适合用于各类开关电源设计，包括 AC-DC 转换器和 DC-DC 调节器。
直流电机驱动: 在直流电机驱动电路中，低开关损耗与高电流能力使得 STD30N10F7 成为理想选择。
电源管理: 适用于用于电源管理应用中的负载开关，能够有效控制电源的开启和关闭，同时保持高效率。
电池管理系统: 该MOSFET的高电流能力和耐高温性能使其在电池充放电场合中能够可靠工作，提高了系统的整体安全性与有效性。
LED 驱动电路: 在LED背光和照明应用中，利用其高速开关特性和低导通电阻，可以优化LED的驱动性能和亮度控制。
四、封装与安装
STD30N10F7 采用 DPAK 封装（TO-252-3），这种封装形式提供了较好的散热性能及表面贴装方便性，适合自动化生产线的高效安装。此外，DPAK 封装的设计减少了电路板空间的占用，能够支持密集的PCB设计要求。
五、总结
STD30N10F7 是一款具备卓越性能的 N 通道 MOSFET，其高电流承受能力、低导通电阻、高功率耗散能力和宽温工作范围使其在众多应用场合中都能表现出色。随着电力电子技术的进步和应用领域的不断拓展，STD30N10F7 的市场需求和应用前景将越来越广。无论是在电源设计、驱动电路还是其他功率管理场景中，它都是一种值得信赖的选择。