MMUN2214LT1G 产品实物图片
MMUN2214LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMUN2214LT1G

商品编码: BM69417776
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
987(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.661
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.661
--
200+
¥0.22
--
1500+
¥0.138
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMUN2214LT1G参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极截止(最大值)500nA
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V功率 - 最大值246mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms
晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA

MMUN2214LT1G手册

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MMUN2214LT1G概述

MMUN2214LT1G 产品概述

产品简介

MMUN2214LT1G是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款高性能NPN数字晶体管,采用SOT-23封装,适用于表面贴装型(SMT)线路板设计。该晶体管具有优异的电气特性和可靠性,广泛应用于数字电路、开关应用和小信号放大器等场合。

主要规格

  • 安装类型:表面贴装型(SMD)
  • 最大集电极截止电流:500nA
  • 饱和压降(Vce):在不同的基极电流Ib和集电极电流Ic下,最大饱和压降为250mV,测试条件为300µA和10mA
  • 最大集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 最大功率耗散:246mW
  • 直流电流增益(hFE):在10V和5mA的测试条件下,最小值为80
  • 最大集电极电流(Ic):100mA
  • 基极电阻(R1): 10 kOhms
  • 发射极电阻(R2): 47 kOhms

封装和尺寸

MMUN2214LT1G采用SOT-23-3(TO-236)封装,具有小型化的优点,使得其在空间受限的应用中尤为适合。其小巧的尺寸不仅降低了PCB的占用面积,同时也有助于提高电路的设计灵活性。

应用领域

因此,MMUN2214LT1G适合于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 开关电源

    • 由于其较大的集电极电流和低饱和压降特性,该晶体管可以用于开关电源中的开关元件,有效提高能效。
  2. 数字电路

    • 为数字逻辑电路提供信号放大和开关功能,确保快速响应并稳定运行。
  3. 音频放大

    • 适合用于音频信号放大电路,具备较好的线性增益特性,能够处理微弱的信号。
  4. 传感器驱动电路

    • 可以用于驱动各种传感器模块,尤其是在低功耗设备中,符合绿色能源和可持续发展的要求。
  5. 电机控制

    • 在小型电机控制电路中,MMUN2214LT1G的高集电极电流和低噪声特性使其能够有效驱动电机启动和停止。

设计优势

MMUN2214LT1G的设计特别注重数字信号的处理,具备以下优势:

  • 低功耗特性:在较小的驱动电流下即可实现高效能,使其在便携式设备和电池供电的应用中尤为重要。
  • 小型化封装:相较于传统封装,SOT-23封装大大降低了单位面积的空间需求,适应了现代电子设备对小型化的需求。
  • 优良的热特性:该晶体管支持较大的功耗,具有较好的散热性能,可以在高温工作环境下正常运作。

结论

MMUN2214LT1G是功能强大且灵活的NPN数字晶体管,具备极好的电气参数和适用性,能为现代电子产品提供卓越的开关和放大能力。无论是在高效能开关电源、音频放大器还是应用于各种数字电路中,该元件都能展现出其独特的价值。其小型化、低功耗的特性,为设计工程师在开发新一代电子产品时提供了更多可能性和便利性。