注：图像仅供参考，请参阅产品规格
SI1021R-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SC-75A
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 250mW 60V 190mA 1个P沟道 SC-75A
库存 :
9300(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.58按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.58
--
100+
￥1.27
--
750+
￥1.13
--
1500+
￥1.07
--
3000+
￥1.02
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI1021R-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.7nC @ 15V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 250mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SC-75A |
| 封装/外壳 | SC-75A |
SI1021R-T1-GE3手册
无数据
SI1021R-T1-GE3概述
产品概述：SI1021R-T1-GE3
一、基本介绍
SI1021R-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件供应商 VISHAY（威世）提供。该器件具有较低的导通电阻和适中的漏源电压，适合在各种电子设备中使用，尤其是在功率管理和开关应用领域。
二、关键参数
- FET 类型： P 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss)： 60V
- 连续漏极电流 (Id)： 190mA （在 25°C 环境下）
- 驱动电压：
- 最大 Rds On： 4.5V
- 最小 Rds On： 10V
- 导通电阻 (Rds On)： 在 10V 和 500mA 条件下，最大值为 4Ω
- 阈值电压 (Vgs(th))： 最大值为 3V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)： 最大值为 1.7nC @ 15V
- 最大 Vgs： ±20V
- 输入电容 (Ciss)： 最大值为 23pF @ 25V
- 功率耗散： 最大值为 250mW （在 25°C 环境下）
- 工作温度范围： -55°C ~ 150°C
- 安装类型： 表面贴装型
- 器件封装： SC-75A
三、应用场景
SI1021R-T1-GE3 适用于许多场合，包括但不限于：
- 电源管理：此 MOSFET 可用于各种电源开关设计，帮助实现高效的功率转换和管理，使电源损耗降到最低。
- 开关电路：由其低导通电阻和灵活的阈值电压，SI1021R-T1-GE3 可以用作高效能的开关元件，能够承受一定的电流负载，适合开关电源、马达控制等应用。
- 便携式设备：由于其小巧的 SC-75A 封装，该 MOSFET 适用于空间受限的便携式电子设备，如移动电话、平板电脑等。
- 汽车电子：其宽广的工作温度范围 (-55°C ~ 150°C) 使其特别适合在极端环境下使用，如汽车电子控制系统。
四、产品特点
- 高效能：相较于传统的开关元件，该 MOSFET 在导通和关断时都表现出色，大幅提高了整个电路的效率。
- 简易驱动：其较低的驱动电压特性使得其容易被各种控制电路驱动，减小了设计的复杂性。
- 宽广的工作温度：可在极端温度条件下稳定工作，确保其在复杂环境下的可靠性。
- 紧凑的封装：SC-75A 封装有助于降低整体电路的尺寸，适合现代电子市场对小型化的需求。
五、总结
SI1021R-T1-GE3 是一款具有优异性能的 P 通道 MOSFET，适用于多种应用场合，特别是在对功率效率和尺寸要求较高的电子设备中。其低导通电阻和广泛的工作温度范围保证了该器件在不同条件下的出色表现，使其成为电子设计师和工程师的理想选择。无论是在电源管理、开关控制还是汽车电子领域，SI1021R-T1-GE3 都表现得稳妥而高效，深受行业用户的喜爱。