RS1E200GNTB

RS1E200GNTB 产品概述

一、概述

RS1E200GNTB是ROHM（罗姆）公司提供的一款高性能N沟道MOSFET，封装形式为HSOP-8，这款器件在电源管理、DC-DC转换器、LED驱动和其他开关电源应用中广泛使用。作为一款低导通阻抗的场效应管，RS1E200GNTB在满足高效率要求的同时，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作，极大地提升了电子设备的性能与可靠性。

二、基本参数

RS1E200GNTB的关键技术参数包括：

• FET类型：N通道，适合多种电气应用。
• 漏源电压（Vdss）：30V，具有良好的电压承受能力。
• 连续漏极电流（Id）：在25°C时可达到20A，确保设备在高负载条件下稳定运行。
• 驱动电压：支持4.5V至10V的栅极驱动电压，兼容多种控制电路。
• 导通电阻（Rds(on)）：在10V下，最大导通电阻为4.6毫欧，确保在高电流下低热量损耗。
• 门极电压阈值（Vgs(th)）：最大值为2.5V @ 1mA，保证设备在较低的驱动电压下也能正常启用。

三、性能特征

RS1E200GNTB的输入电容（Ciss）最大值为1080pF @ 15V，这使得在高频应用中具备良好的开关性能，能够快速响应电子信号。此外，栅极电荷（Qg）最大值为16.8nC @ 10V，有助于降低开关损耗，提高整体电路效率。

四、热管理与功率耗散

这款MOSFET设计有优越的功率散热性能，最大功率耗散可达3W（在环境温度下）和25.1W（在结温条件下）。它的工作温度范围广泛，承受高达150°C的结温，使其在严苛的环境条件下仍能保持稳定。

五、封装与安装

RS1E200GNTB采用表面贴装型（SMD）封装，型号为HSOP-8。这种封装形式不仅缩小了占板空间，同时便于自动化焊接，提升了生产效率。

六、应用场景

RS1E200GNTB广泛应用于多个领域，包括但不限于：

• 电源管理：在开关电源、适配器和DC-DC转换器中作为主要开关元件，提供高效率电源转换。
• LED驱动：在LED照明控制中，作为开关元素控制LED的亮度。
• 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车的电源输入和电源分配系统中发挥作用，特别是在高负载条件下。
• 消费电子：在各种消费电子产品中，如手机充电器、笔记本电脑等进行电源调节和切换。

七、总结

总之，RS1E200GNTB MOSFET以其出色的技术参数和高效能可靠性，满足现代电源管理及开关应用的多样化需求。其低导通电阻、高电流处理能力及卓越的热管理性能，使其成为设计工程师进行电源设计的理想选择。无论是在工业应用、汽车电子或消费电子设备中，RS1E200GNTB都能提供卓越的性能和效率，是推动现代电子技术发展的重要元件。