SIZ980DT-T1-GE3

产品概述：SIZ980DT-T1-GE3

SIZ980DT-T1-GE3是来自全球知名电子元器件制造商VISHAY（威世）的高性能MOSFET阵列，专为要求严格的电源管理和开关应用而设计。作为一款双N通道MOSFET，此产品在电子设备中提供优异的导通性能和能效，特别适合高电流和高效能的电路设计。

基本特性

1. 电气参数:

   • 漏源电压（Vdss）: 30V
   • 连续漏极电流（Id）: 在25°C的测量条件下，此产品可以支持高达20A（Tc），而在更高温度条件下可达60A（Tc）。这使得SIZ980DT-T1-GE3非常适合在高负载情况下的应用。
   • 导通电阻（Rds(on)）: 在不同的电流和栅极电压（Vgs）条件下，该器件的导通电阻最低可达1.6毫欧（@19A，10V），在15A条件下最大为6.7毫欧。这一低导通电阻特性显著降低了在开关过程中产生的热量，有助于提高系统效率。

2. 栅极驱动性能:

   • 栅极电荷（Qg）: 在4.5V的栅极驱动下，该产品的最大栅极电荷为8.1nC @ 4.5V，35nC @ 4.5V。这一低栅极电荷值意味着在高速开关应用中能够有效降低驱动损耗，提高开关频率。
   • 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为2.2V（@250µA），使得该器件在控制电路中更易于被驱动开启。

3. 输入电容（Ciss）: 根据不同的漏源电压，该器件的输入电容最大值为930pF（@15V）和4600pF（@15V），这是影响开关速度和频率响应的重要参数。

4. 功率处理能力: SIZ980DT-T1-GE3在不同的工作条件下具有高达20W（连续功率）和66W（瞬时功率）的处理能力，表现出色的功率管理性能适合广泛的应用领域。

环境适应性

该MOSFET设计的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，非常适合于汽车、工业自动化和消费电子产品中的高温应用。

封装特点

SIZ980DT-T1-GE3采用8-PowerPair®封装，属于表面贴装类型，具有紧凑的结构和良好的热性能。此封装形式通常用于高密度布线和空间受限的应用，使得设计工程师在PCB布局中更加灵活。

应用领域

该器件在多种应用中表现优异，包括但不限于：

• 电源管理电路
• DC-DC转换器
• 电机驱动控制
• 自动化设备
• 便携式电子设备

总结

SIZ980DT-T1-GE3是满足现代电子设备对高效率、高性能和高稳定性需求的理想选择。凭借其卓越的技术规格、可靠的性能和强大的适用性，该MOSFET阵列无疑将在未来电子设计中发挥重要作用。无论是在严苛的工业环境，还是在高性能消费电子产品中，SIZ980DT-T1-GE3都是值得信赖的解决方案。