SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3 产品概述

SI4931DY-T1-GE3 是 VISHAY（威世）公司制造的一款高性能 P 沟道场效应管（MOSFET），广泛应用于低功耗的开关电源、电机驱动和负载开关等电路设计。该 MOSFET 具有出色的电气性能，适用于各种电子设备和工业应用。

主要特性

1. 电流和电压参数：

   • 连续漏极电流 (Id)：在25°C条件下，SI4931DY-T1-GE3 支持最高连续漏极电流为 6.7A，使其在大多数中低功率应用中表现优异。
   • 漏源电压 (Vdss)：其最大漏源电压为 12V，确保在相应的电压下可靠工作，适合12V电源系统。

2. 导通电阻：

   • 模型的最大导通电阻为 18 毫欧，测试条件为 8.9A 和 4.5V。这一特性使其在进行多种开关操作时，具有较低的能量损失和更高的电效率。

3. 栅极电压及电荷：

   • 栅级阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 1V，提供出色的开关特性，并兼容逻辑电平驱动。
   • 栅极电荷 (Qg) 最大值为 52nC，这意味着该器件在转变状态时所需的驱动功率较低，有助于降低整体功耗。

4. 功率额定值：

   • SI4931DY-T1-GE3 的最大功率为 1.1W，确保在各种应用情况下均能稳定工作，而不会过热或损坏。

5. 温度范围：

   • 工作温度范围广，达到 -55°C 到 150°C（TJ），使其能够在极端环境中仍然稳定发挥性能。这一特性使其在汽车电子、工业控制及航空航天等恶劣环境中亦能保持良好的工作状态。

封装与安装

该 MOSFET 使用 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的封装形式，采用表面贴装型设计，适合现代电路板的高密度安装需求。其紧凑的尺寸和优秀的热管理性能，能够更好地适应小型化和高集成度的电子产品。

应用领域

由于其优秀的电气特性和可靠性，SI4931DY-T1-GE3 被广泛应用于多个领域，包括：

• 开关电源：适用于各种电源管理解决方案，提供高效的电能转化和开关控制。
• 电机驱动：特别是在需要高效、高功率密度驱动的直流电机和步进电机应用中。
• 负载开关：在需要切换电流负载的电路中作为开关元件，并可用于高侧和低侧开关配置。
• 消费电子：在智能家电、便携式设备及其他需要低功耗、高效率的应用场景中表现出色。

结论

SI4931DY-T1-GE3 作为一款高效、高性能的 P 沟道 MOSFET，是设计工程师在构建省电和高效电子电路时的重要选择。其优异的电气特性、广泛的应用范围及可靠的工作温度，让这款产品在当前瞬息万变的电子市场中具有极大的竞争力。选择 SI4931DY-T1-GE3，将为您的产品设计增添强劲的动力和可靠的性能保障。