注：图像仅供参考，请参阅产品规格
NTK3134NT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-723-3
包装 :
编带
重量 :
0.021g
描述 :
场效应管(MOSFET) 310mW 20V 890mA 1个N沟道 SOT-723
库存 :
3970(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.716按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.716
--
200+
￥0.494
--
2000+
￥0.45
--
4000+
￥0.42
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40000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTK3134NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 750mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 890mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±6V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 封装/外壳 | SOT-723 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 120pF @ 16V | 基本产品编号 | NTK313 |
NTK3134NT1G手册
无数据
NTK3134NT1G概述
产品概述：NTK3134NT1G MOSFET
一、基本信息
NTK3134NT1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。作为一种优秀的电子元器件，NTK3134NT1G 具有出色的电流控制能力和热稳定性，特别适合用于低电压和小功率应用场合。
二、主要参数和规格
- 尺寸和封装：该 MOSFET 的封装采用了 SOT-723 表面贴装型，便于在紧凑型电路板上进行布线和安装。
- 电流能力：在 25°C 的环境温度下，NTK3134NT1G 能够持续输送 750mA 的漏极电流（Id），在某些情况下（最大 890mA，4.5V ）可以达到更高的电流。
- 导通电阻：其在 4.5V 的栅极电压下，最大导通电阻 (Rds(on)) 为 350 毫欧，确保了低功耗和高效率的性能表现。
- 驱动电压：对于最佳的导通性能，该元件的驱动电压分别为 1.5V 和 4.5V，适合多种不同的电源需求。
- 最大漏源电压（Vdss）：该器件的额定漏源电压为 20V，可有效防止瞬态高压对电路的损害。
- 输入电容：在 16V 时，其输入电容 (Ciss) 最大值为 120pF，这为高速开关应用提供了良好的响应性能。
三、工作温度范围
NTK3134NT1G 具有令人印象深刻的工作温度范围，从 -55°C 到 +150°C，能够在极端环境条件下稳定工作。这一特性使其非常适合于航天、汽车及工业等复杂应用。
四、功率耗散能力
本器件的最大功率耗散值为 310mW，这为电流控制和转化效率提供了理想的平衡。高效能与低功率消耗相结合，使得 NTK3134NT1G 成为能效要求高的应用理想之选。
五、应用领域
NTK3134NT1G 特别适合于各种低功耗和小功率应用场景，包括：
- 开关电源：能够快速开关，降低能量损耗，提高转换效率。
- 电机驱动：用于小功率电机的控制，帮助实现精准的速度与位置调节。
- 负载开关：可在不同的电流和电压下启用或禁用负载，实现有效的电源管理。
- 通信设备：在移动终端和通信设备中，实现稳定的信号切换。
六、总结
NTK3134NT1G 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，具备优良的电气特性和宽广的工作范围。凭借其低导通电阻、高额定电流和良好的热效应控制，该 MOSFET 在现代电子产品设计中具有广泛的适用性，不仅提高了设备的性能，还能有效降低能耗，适合用于多种应用领域。对于寻求高效率、高可靠性电子元件的设计工程师而言，NTK3134NT1G 无疑是一个理想的选择。