安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
阻抗(最大值)(Zzt) | 7 Ohms | 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 6V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 功率 - 最大值 | 500mW |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 3.5V | 容差 | ±5% |
封装/外壳 | SOD-123 | 供应商器件封装 | SOD-123 |
概述
MMSZ5233BT1G是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的稳定精准电压的齐纳二极管。该器件设计用于提供可靠的过压保护和电压稳压解决方案,适用于各种电子应用。产品的关键特点包括低反向漏电流和高工作温度范围,使得它在严苛环境下应用依然有效。
主要技术参数
设计特点
低反向泄漏电流:MMSZ5233BT1G在3.5V时,反向泄漏电流仅为5µA,这使得该器件在需要低功耗并确保长时间稳定工作的电源管理系统中表现出色。
高温范围:其工作温度范围从-55°C到150°C,使其能够在极端环境下可靠运行,适应航空航天、汽车电子及工业控制等领域的需求。
小型化封装:SOD-123封装不仅节省空间,有助于电路板的紧凑设计,同时也提供出色的热管理性能,适合于现代设备对尺寸和性能的双重要求。
高精度稳压:这款齐纳二极管的电压容差为±5%,使其能够在各种应用中提供良好的电压调节能力,确保电路稳定性。
应用场景
MMSZ5233BT1G广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
总结
MMSZ5233BT1G凝聚了安森美半导体在电子元器件设计和制造领域的丰富经验,凭借其卓越的性能参数和可靠性,使其成为现代电子应用中不可或缺的重要元件。此齐纳二极管的设计理念在于兼顾稳定性、可靠性和高效能,为广泛类型的电子产品提供了坚实的基础,无论是在电源管理、信号调制还是医疗设备等领域,MMSZ5233BT1G都能提供卓越的性能,满足工程师对元器件的高要求。