DTC023JMT2L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC023JMT2L

商品编码: BM69417668
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-723
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.634
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.634
--
500+
¥0.211
--
4000+
¥0.141
--
8000+
¥0.101
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC023JMT2L参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,5mA频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-723供应商器件封装VMT3

DTC023JMT2L手册

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DTC023JMT2L概述

DTC023JMT2L 产品概述

一、产品简介

DTC023JMT2L 是一款由 ROHM(罗姆)公司制造的数字晶体管,采用 NPN 构造,并配备预偏压功能。这款晶体管以其小巧的 SOT-723(VMT3)封装形式,成为高效能和轻量化应用的理想选择。它的特性使其在多种电子电路中得到了广泛应用,尤其适用于信号放大、开关控制以及逻辑电路中的驱动功能。

二、基本参数

  1. 晶体管类型: NPN - 预偏压
  2. 集电极电流 (Ic): 最大值为 100mA,适合低功率应用场景。
  3. 集射极击穿电压 (Vce): 最大值为 50V,确保其在多数工作电压范围内的安全使用。
  4. 基极电阻 (R1): 2.2 kOhms,设计用于提供稳定的基极偏置。
  5. 发射极电阻 (R2): 47 kOhms,进一步增强了其稳定性和工作灵活性。
  6. DC 电流增益 (hFE): 在 5mA 和 10V 工作条件下,最小增益为 80,说明该晶体管在小信号处理中具有良好的放大特性。
  7. Vce 饱和压降: 最大值 150mV 在 500µA~5mA 之间,确保了在开关状态下的低功耗损耗。
  8. 频率特性: 跃迁频率为 250MHz,适用于高频应用。
  9. 功率: 最大功率损耗为 150mW,适合高密度集成电路设计。
  10. 安装类型: 表面贴装型(SMD),提供更灵活的PCB布局设计,同时降低了组装成本。
  11. 封装: SOT-723(VMT3),紧凑型封装大幅度节省电路板空间。

三、应用领域

DTC023JMT2L 晶体管广泛应用于以下几个领域:

  1. 消费电子: 由于其小型化和高效能,适合应用于智能手机、平板电脑以及其他便携式设备的信号处理和功率控制。
  2. 汽车电子: 可用于汽车内部的功率开关,信号放大以及传感器信号处理,提升汽车电子系统的性能与稳定性。
  3. 家电产品: 适合用于洗衣机、空调等家电产品的控制电路中,为智能家居系统的增添提供支持。
  4. 工业自动化: 在各种工业控制系统中,DTC023JMT2L 可以作为开关元件或输出驱动,同时提升系统的整体性能。

四、设计考虑

在设计基于 DTC023JMT2L 的电路时,工程师应考虑以下几点:

  1. 偏置电阻设计: 正确选择基极和发射极电阻以确保晶体管在所需操作区域,避免过热与饱和工作导致的非线性失真。
  2. 工作温度: DTC023JMT2L 的最大功耗为 150mW,因此设计时要注意散热,以防止过热影响电器的长期可靠性。
  3. PCB 布局: 由于其 SOT-723 封装,小巧的尺寸允许在紧凑空间中布局,合理的布局能提高电路性能,降低干扰。

五、总结

DTC023JMT2L 是一款优秀的 NPN 预偏压数字晶体管,凭借其出色的电气特性、紧凑的封装和灵活的应用领域,成为众多现代电子设备中不可或缺的重要组件。无论是消费电子、汽车电子还是工业设备,其优越的性能均表现出强大的市场竞争力,为设计师在创新电路开发中提供了有力支持。