双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 | 电压 - 断态 | 800V |
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值) | 12A | 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值) | 1.3V |
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 95A,90A | 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值) | 35mA |
电流 - 保持 (Ih)(最大值) | 40mA | 配置 | 单路 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 供应商器件封装 | D2PAK |
T1235T-8G-TR 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的高性能双向可控硅(SCR)。该器件设计用于高电压和高电流应用,广泛应用于工业控制、电机驱动和电力调节等领域。凭借其出色的电气特性和耐用的封装设计,T1235T-8G-TR 在各种苛刻的工作条件下都能保持稳定的性能,为系统可靠性提供保障。
T1235T-8G-TR 的工作温度范围为 -40°C 至 150°C,使其能够在极端温度下可靠工作,适用于各种恶劣环境。器件采用 D2PAK 封装设计,具有优秀的散热性能和机械强度,适合表面贴装(SMD)工艺。D2PAK 封装的设计还可以提升 PCB 的组装效率,适合现代电子设备的小型化趋势。
T1235T-8G-TR 适用于多种应用领域:
T1235T-8G-TR 作为一款双向可控硅,其优秀的电气特性、广泛的工作温度范围以及坚固的封装设计,使其成为工业控制和能源管理领域的理想选择。凭借 STMicroelectronics 的品牌背景,该器件在市场上拥有良好的可靠性和性能,能够满足现代电子设备不断升级的需求。在选择合适的可控硅元器件以实现高可靠性和高效能的系统时,T1235T-8G-TR 无疑是一个值得考虑的优质方案。