T1235T-8G-TR 产品实物图片
T1235T-8G-TR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

T1235T-8G-TR

商品编码: BM69417658
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
双向晶闸管
库存 :
4700(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.96
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.96
--
50+
¥2.28
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

T1235T-8G-TR参数

双向可控硅类型可控硅 - 无缓冲器电压 - 断态800V
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值)12A电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值)1.3V
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)95A,90A电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值)35mA
电流 - 保持 (Ih)(最大值)40mA配置单路
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB供应商器件封装D2PAK

T1235T-8G-TR手册

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T1235T-8G-TR概述

T1235T-8G-TR 产品概述

概述

T1235T-8G-TR 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的高性能双向可控硅(SCR)。该器件设计用于高电压和高电流应用,广泛应用于工业控制、电机驱动和电力调节等领域。凭借其出色的电气特性和耐用的封装设计,T1235T-8G-TR 在各种苛刻的工作条件下都能保持稳定的性能,为系统可靠性提供保障。

主要参数

  • 类型: 双向可控硅
  • 电压 - 断态 (Vdr): 最大800V,适用于高电压的驱动和控制应用。
  • 电流 - 通态 (It (RMS)): 最大12A,适合中流量控制。
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 95A(50Hz)、90A(60Hz),提供强大的瞬态承载能力,适应负载变化。
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt): 最大1.3V,确保低功耗驱动。
  • 电流 - 栅极触发 (Igt): 最大35mA,当应用快速切换时,确保触发电流满足设备要求。
  • 电流 - 保持 (Ih): 最大40mA,支持不同电流操作条件下的稳定闭合特性。

工作环境与封装

T1235T-8G-TR 的工作温度范围为 -40°C 至 150°C,使其能够在极端温度下可靠工作,适用于各种恶劣环境。器件采用 D2PAK 封装设计,具有优秀的散热性能和机械强度,适合表面贴装(SMD)工艺。D2PAK 封装的设计还可以提升 PCB 的组装效率,适合现代电子设备的小型化趋势。

应用领域

T1235T-8G-TR 适用于多种应用领域:

  1. 电机控制: 在电机驱动系统中,可以实现精确控制电流,支持启动、运行和关断过程。
  2. 温控电路: 可以用于电炉、温控器和其他加热设备的功率控制。
  3. 励磁控制: 在发电机和变压器系统中,用于调节励磁电流,实现电压的稳定。
  4. 电源管理: 用于整流、逆变以及可再生能源系统(如太阳能和风能)的功率转换与控制。
  5. 浪涌保护: 提供瞬态电流保护,避免设备在电压激增时受损。

结论

T1235T-8G-TR 作为一款双向可控硅,其优秀的电气特性、广泛的工作温度范围以及坚固的封装设计,使其成为工业控制和能源管理领域的理想选择。凭借 STMicroelectronics 的品牌背景,该器件在市场上拥有良好的可靠性和性能,能够满足现代电子设备不断升级的需求。在选择合适的可控硅元器件以实现高可靠性和高效能的系统时,T1235T-8G-TR 无疑是一个值得考虑的优质方案。