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BS170
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
TO-92-3
包装 :
袋装
重量 :
4.22g
描述 :
场效应管(MOSFET) 830mW 60V 500mA 1个N沟道 TO-92-3
库存 :
2374(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.24按整 :
袋(1袋有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.24
--
50+
￥0.622
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
BS170参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 830mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 | 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
BS170手册
无数据
BS170概述
BS170 产品概述
一、产品简介
BS170 是一款 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，由安森美（ON Semiconductor）生产。该器件设计用于多种电子应用，尤其是在开关电路和模拟信号处理中的高效控制。BS170 在小型封装中提供了可靠的性能，适合于空间受限的电路设计。
二、技术规格
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 500mA (在 25°C 时)
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 5Ω (在 200mA 和 10V 时)
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 3V @ 1mA
- 最大门源电压 (Vgs): ±20V
- 输入电容 (Ciss): 最大 40pF @ 10V
- 功率耗散: 最大 830mW (在 25°C 环境温度下)
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 封装: TO-92-3
三、应用场景
BS170 的广泛应用涵盖了多个领域，包括但不限于：
- 开关电源应用：因其较高的性能指标，BS170 常用于开关电源模块中，以实现高效能的电源管理。
- 模拟信号处理：在音频放大和传感器接口中，BS170 可以用于模拟信号的开关和放大。
- 低功耗电路：由于其优良的电流控制能力，BS170 特别适合用于低功耗电子设备，如便携式设备和无线通信设备。
- 数模转换器（DAC）应用：在数模转换器中可用作开关，帮助实现数据的转换和处理。
四、工作原理
BS170 的工作原理基于 MOSFET 的基本机制。当在栅极施加足够的电压 (Vgs) 时，导通电流（Id）在漏极和源极之间流动。该器件在阈值电压（Vgs(th)）之上开始导通，导通时的电阻 (Rds(on)) 会显著降低，从而允许更大的电流流动。其可调的门电压使得用户可以控制漏极电流的大小，实现精确的电流控制。
五、性能优势
- 高效能: BS170 提供低导通电阻，能够以较低的功率损耗支持较高的漏电流。
- 广泛的工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的广泛温度适应能力，使 BS170 在各种环境条件下均能稳定工作。
- 小型封装: TO-92-3 封装等紧凑设计使得其在空间受限的电路中非常适用。
- 耐压能力: 最大额定漏源电压达 60V，适合高电压应用。
六、总结
BS170 N 通道 MOSFET 是一款性能卓越、应用广泛的电子元器件。它以其小巧的 TO-92-3 封装、优良的电流控制特性以及广泛的工作温度适应性而受到设计工程师的青睐。随着科技的不断进步和市场对高效能电子产品需求的增加，BS170 将继续在多领域内证明其价值，成为开发现代电子设备的重要组成部分。