通道数 | 1 | 输入 - 侧 1/侧 2 | 1/0 |
电压 - 隔离 | 4170Vrms | 输入类型 | DC |
输出类型 | 开路集电极 | 电流 - 输出/通道 | 50mA |
数据速率 | 1MHz | 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) | 4µs,4µs |
上升/下降时间(典型值) | 100ns,100ns | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.2V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 30mA | 电压 - 供电 | 3V ~ 15V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 6-DIP(0.300",7.62mm) | 供应商器件封装 | 6-DIP |
H11L1M是一款高性能的光隔离器件,旨在提供卓越的隔离性能和高速数据传输能力,尤其适用于不同电压和信号环境下的逻辑信号隔离。该器件由安森美(ON Semiconductor)制造,具备优秀的电气特性和应用灵活性,完美满足现代电子系统对安全性和可靠性的需求。
H11L1M的工作频率特性极为突出,数据传输速率高达1MHz,尤其适合在高速数据处理及传输场合下使用。其传播延迟表现优越,tpLH和tpHL的最大值均为4µs,保证了高效的数据响应。针对信号上升和下降时间,该器件的典型值为100ns,能够在对信号变化要求严格的场景下保证快速可靠的传输。
此外,H11L1M的正向电压(Vf)典型值为1.2V,且最大直流正向电流(If)为30mA。这些电气性能指标结合其3V至15V的供电电压范围,使得H11L1M在多种电源条件下均能够稳定工作,适应不同的系统设计需求。
H11L1M还具有宽广的工作温度范围,从-40°C至85°C,确保在严苛的工作环境下依然能够保持高效的性能表现。这使得其成为工业控制、汽车电子、医疗设备等领域中不可或缺的重要元件,能够在极端条件下提供可靠的服务。
H11L1M采用6-DIP(0.300",7.62mm)封装,便于在各种电路板上进行通孔安装。该设计不仅降低了空间占用,还方便后续的电路维护与更换,确保了设计的灵活性。
H11L1M广泛应用于多种应用场景,包括但不限于:
综合来看,H11L1M是一款具有高隔离电压、宽供电范围和良好频率特性的逻辑输出光耦,能够满足现代电子设备对于信号传输和电气隔离的高要求。其优秀的性能使其在多个行业中成为理想的选择,助力用户设计和实现更加安全、可靠的电子系统。无论是对于复杂的工业控制还是日常的消费电子产品,H11L1M都能提供卓越的性能,是一款值得信赖的光耦解决方案。