IMX25T110 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IMX25T110

商品编码: BM69417597
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 20V 300mA NPN SC-74(SOT-457)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.683
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.683
--
200+
¥0.441
--
1500+
¥0.383
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

IMX25T110参数

晶体管类型2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)300mA
电压 - 集射极击穿(最大值)20V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 3mA,30mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)820 @ 4ma,2V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁35MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-74,SOT-457供应商器件封装SMT6

IMX25T110手册

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IMX25T110概述

IMX25T110产品概述

1. 产品简介

IMX25T110是一款高性能的NPN型双极晶体管(BJT),特别设计用于各种轻负载应用。这款三极管由ROHM(罗姆)公司制造,具备出色的电气特性和高频工作能力,非常适合于用于开关电路、信号放大和功率管理等多种电子设备。它的表面贴装封装(SC-74/SOT-457)使其易于集成到现代电子电路中,提高了其应用灵活性。

2. 主要参数

  • 晶体管类型: NPN(双)
  • 最大集电极电流 (Ic): 300mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vceo): 20V
  • Vce饱和压降 (最大值): 100mV @ 3mA,30mA
  • 集电极截止电流 (ICBO): 100nA
  • 最低DC电流增益 (hFE): 820 @ 4mA,2V
  • 最大功率: 300mW
  • 频率特性: 跃迁频率为35MHz
  • 工作温度范围: 可在高达150°C(TJ)下工作
  • 封装类型: SC-74/SOT-457(SMT6)

这些参数指示了IMX25T110的优秀性能,它在小型、低功耗电路中能够提供可靠的表现,特别是在需要高电流增益和低饱和电压的条件下。

3. 应用场景

IMX25T110适用于广泛的应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源: 在开关电源中,该晶体管可用作开关元件,因其较低的饱和压降和高集电极电流能力,能够有效减少功耗。
  • 信号放大: 这款晶体管在音频和射频放大器中表现出色,其高增益和宽频带特性使其适合中频和高频信号的处理。
  • 消费电子: 在手机、电视和其他消费电子产品中,该器件能够提高功率效率,延长电池使用寿命。
  • 电机驱动: 用于小型电机驱动,IMX25T110能够提供高效、稳定的功率管理。
  • 工业控制: 在工业自动化与控制系统中,使用该晶体管可以提高控制信号的强度和准确性。

4. 翻新设计与使用

IMX25T110的高频特性和优秀的电流增益使其成为现代电子设计中非常有吸引力的选择。当进行电子电路设计时,工程师可以利用其高增益特性来减少对其他放大器的需求,从而有效地简化电路,并降低组件数量和成本。此外,IMX25T110具备高温耐受能力,使其在严苛环境中的长期使用变得可靠稳定。

在电路设计方面,设计者应考虑IMX25T110的额定电压和电流限制,以确保晶体管的安全操作。进一步地,合理设计基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)的比例可以显著改善整体效率和性能,确保在不同工作条件下的稳定性。

5. 总结

ROHM的IMX25T110是一款高效、可靠的NPN晶体管,具备出色的电流增益和工作频率,能够满足众多电子产品和电路设计的需求。凭借其紧凑的封装、广泛的适用性及卓越的性能指标,它对于现代电子设备的开发与创新具有重要的意义。对于追求高效能和高可靠性的应用来说,IMX25T110无疑是一个值得选用的理想组件。在考虑各类电路解决方案时,这款晶体管提供了灵活的设计选择和优秀的性能表现,适合广泛的应用领域。